[发明专利]掩模刻蚀工艺

权利要求书

1.一种用于处理光刻掩模板的方法，包括：

将掩模板定位在处理腔室中的支撑构件上，其中所述掩模板包括形成在透光衬底上的金属光掩模层和沉积在所述金属光掩模层上的已构图的抗蚀剂材料；

导入包括三氟甲烷(CHF₃)、六氟化硫(SF₆)、六氟乙烷(C₂F₆)或氨(NH₃)的至少其中之一，含氧气体以及含氯气体的处理气体；

将功率输送至所述处理腔室以产生由所述处理气体形成的等离子体；以及使用所述等离子体刻蚀所述金属光掩模层的暴露部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将不含氯的卤素气体导入所述处理腔室中。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将溴化氢或碘化氢的至少其中之一导入所述处理腔室中。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将氧气、一氧化碳或二氧化碳的至少其中之一导入所述处理腔室中。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将氯气、四氯化碳或氢氯酸的至少其中之一导入所述处理腔室中。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属光掩模层包括铬、氮氧化铬或其组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属光掩模层进一步包括氮氧化铬的抗反射涂层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透光衬底包括选自石英、硅化钼、钼硅氧氮化物和其组合的硅基材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将氩以5到100sccm的流速导入所述处理腔室中。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将氩以20到45sccm的流速导入所述处理腔室中。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括将氦、氩、氙、氖或氪的至少其中之一导入所述处理腔室中。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生成等离子体的步骤包括将约200W到约1500瓦之间的源射频功率施加给所述处理腔室的线圈以及将约5W到约200W之间的偏置功率施加给在所述处理腔室中的掩模板支架。

13.根据权利要求1所述的方法，所述刻蚀金属光掩模层的步骤进一步包括以金属光掩模层与抗蚀剂材料约1∶1到约3∶1之间的比率选择性刻蚀所述金属光掩模层。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括以约1sccm到50sccm的速率将三氟甲烷(CHF₃)、六氟化硫(SF₆)、六氟乙烷(C₂F₆)或氨(NH₃)的至少其中之一导入所述处理腔室中。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导入处理气体的步骤进一步包括以约1sccm到5sccm的速率将三氟甲烷(CHF₃)、六氟化硫(SF₆)、六氟乙烷(C₂F₆)或氨(NH₃)的至少其中之一导入所述处理腔室中。