[发明专利]一种偏置电路以及压控振荡器

权利要求书

1.一种偏置电路，其特征在于，包括：

误差放大电路，所述误差放大电路的反相输入端接参考电压；

压控电流源，所述压控电流源的电压控制端与所述误差放大电路的电压输出端相连，所述压控电流源的电流大小受所述误差放大电路的电压输出端电压的控制；

延迟控制电路，所述延迟控制电路的电流输入端与所述压控电流源相连，所述延迟控制电路的输出端与所述误差放大电路的同相输入端相连，所述延迟控制电路的电压输入端与控制电压提供端相连；

所述延迟控制电路用于根据所述控制电压调整延迟控制电路的输出电压。

2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，

所述压控电流源为NMOS管，所述压控电流源管的栅极与所述误差放大电路的电压输出端相连，漏极与所述延迟控制电路的电流输入端相连，源极与地相连。

3.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，

所述压控电流源为PMOS管，所述压控电流源管的栅极与所述误差放大电路的电压输出端相连，漏极与所述延迟控制电路的电流输入端相连，源极与工作电压提供端相连。

4.根据权利要求2或3所述的偏置电路，其特征在于，所述误差放大电路包括：

同相输入端；

反相输入端；

电压输出端；

第一MOS管；

第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与第一MOS管的栅极相连，第二MOS管的源极与第一MOS管的源极相连，第一MOS管的栅极和自身漏极相连；

第三MOS管，所述第三MOS管的栅极与所述同相输入端相连，漏极与所述第一MOS管的漏极相连；

第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述反相输入端相连，漏极与所述第二MOS管的漏极相连，所述第二MOS管的漏极与第四MOS管的漏极与所述电压输出端相连；

第五MOS管，所述第五MOS管的栅极接偏置电压，漏极与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极相连；

当所述压控电流源管为NMOS管时，第五MOS管的源极与工作电压提供端相连；

当所述压控电流源管为PMOS管时，第五MOS管的源极与地相连。

5.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，

所述延迟控制电路包括：

输出端；

第六MOS管，漏极与所述输出端相连，源极与所述压控电流源相连，栅极与地相连；

压控电阻，所述压控电阻与第六MOS管相连，所述压控电阻的电压控制端上加载有控制电压。

6.根据权利要求5所述的偏置电路，其特征在于，所述压控电阻包括：

第七MOS管，所述第七MOS管的栅极上加载有控制电压；

第八MOS管，所述第八MOS管的漏极与第七MOS管的漏极相连，源极与第七MOS管的源极相连并与地相连，栅极与自身漏极相连。

7.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，

所述延迟控制电路包括：

输出端；

第六MOS管，漏极与所述输出端相连，源极与所述压控电流源相连，栅极与工作电压提供端相连；

压控电阻，所述压控电阻与第六MOS管相连，所述压控电阻的电压控制端上加载有控制电压。

8.根据权利要求7所述的偏置电路，其特征在于，所述压控电阻包括：

第七MOS管，所述第七MOS管的栅极上加载有控制电压；

第八MOS管，所述第八MOS管的漏极与第七MOS管的漏极相连，源极与第七MOS管的源极相连并与工作电压提供端相连，栅极与自身源极相连。

9.一种压控振荡器，其特征在于，包括：

参考电压提供端，用于提供参考电压；

控制电压提供端，用于提供控制电压；

偏置电路，用于在参考电压提供端提供的参考电压以及控制电压提供端提供的控制电压的控制下产生输出电压；

延迟单元，用于根据所述误差放大电路的输出电压以及控制电压提供端输出的控制电压产生差分信号。

10.根据权利要求9所述的压控振荡器，其特征在于，所述偏置电路包括：

误差放大电路，所述误差放大电路的反相输入端接参考电压；

压控电流源，所述压控电流源的电压控制端与所述误差放大电路的电压输出端相连，所述压控电流源的电流大小受所述误差放大电路的电压输出端电压的控制；

延迟控制电路，所述延迟控制电路的电流输入端与所述压控电流源相连，所述延迟控制电路的输出端与所述误差放大电路的同相输入端相连，所述延迟控制电路的电压输入端与控制电压提供端相连；

所述延迟控制电路用于根据所述控制电压调整延迟控制电路的输出电压。