[发明专利]存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法

权利要求书

1.一种包括存储单元阵列的集成电路，包括：

多个存储单元，每个所述存储单元包括存储电容器和存取晶体管；

多条定向于第一方向的位线；

多条定向于第二方向的字线，所述第二方向垂直于所述第一方向；

具有表面的半导体衬底，多个有源区形成在所述半导体衬底中，每个有源区在所述第二方向上延伸；

所述存取晶体管将所述存储电容器中的相对应存储电容器电耦接于相应的所述位线，其中：

每个所述存取晶体管的栅电极连接于相应的字线，

所述存储电容器的电容器介电质具有大于8的相对介电常数，

所述字线设置在所述位线的上方。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，每个栅电极设置在凹槽中，所述凹槽延伸于所述半导体衬底中。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，每个所述栅电极包括盘形部分，以使所述栅电极包围所述晶体管沟道的三侧。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，每个存储电容器是沟槽式电容器，所述沟槽式电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极、以及设在所述第一和第二电容器电极之间的介电层，其中，所述第一和第二电容器电极以及介电层设置于延伸进入所述半导体衬底的沟槽中。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅电极通过栅极接触部连接于相应的字线。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，每个所述存取晶体管包括：

第一和第二源/漏极区以及形成在所述第一和第二源/漏极区之间的沟道，所述栅电极控制所述沟道的导电性；

绝缘隔离物，使所述栅电极电绝缘于所述第一和第二源/漏极区，所述隔离物相对于所述衬底表面垂直地延伸。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，连接所述第一和第二源/漏极区的所述沟道包括相对于所述衬底表面的垂直部分和水平部分，所述水平部分邻接于所述栅电极的底侧。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述字线由金属制成。

9.一种包括存储单元阵列的集成电路，包括：

多个存储单元，每个存储单元包括存储电容器和存取晶体管；

多条定向于第一方向的位线；

多条定向于第二方向的字线，所述第二方向垂直于所述第一方向；

具有表面的半导体衬底，多个有源区形成在所述半导体衬底中，每个所述有源区在所述第二方向上延伸；

所述存取晶体管将所述存储电容器的相对应存储电容器电耦接于相应的位线，每个晶体管包括：

第一源/漏极区，连接于所述存储电容器的电极，

第二源/漏极区，邻近于所述衬底表面，

沟道，将所述第一和第二源/漏极区连接，沟道区设置在所述有源区中，以及

栅电极，沿着所述沟道区设置，所述栅电极控制在所述第一和第二源/漏极区之间的电流流动，所述栅电极连接于所述多条字线中的一条字线，

其中每个所述栅电极包括底侧，每条字线包括底侧，所述栅电极的底侧设置在所述字线的底侧的下方，并且所述字线设置在所述位线的上方，其中，每个存储电容器包括第一和第二电容器电极，以及设置在所述第一和第二电容器电极之间的介电层，电容器介电质具有大于8的相对介电常数。

10.一种包括存储单元阵列的集成电路，包括：

多个存储单元，每个存储单元包括存储电容器和存取晶体管；

多条定向于第一方向的位线；

多条定向于第二方向的字线，所述第二方向垂直于所述第一方向；

具有表面的半导体衬底，多个有源区形成在所述半导体衬底中，每个有源区在所述第二方向上延伸；

所述存取晶体管将所述存储电容器中的相对应存储电容器电耦接于相应的位线，其中所述电容器的电极通过设置在所述半导体衬底上方的导电结构连接于所述存取晶体管，其中每个所述存取晶体管的栅电极连接于相应的字线，并且其中所述字线设置在所述位线的上方。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，每个栅电极设置在凹槽中，所述凹槽延伸于所述半导体衬底中。