[发明专利]基材蚀刻设备无效
申请号: | 200710146100.5 | 申请日: | 2007-09-10 |
公开(公告)号: | CN101325148A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 赵皓善;崔荣桓 | 申请(专利权)人: | 井山股份公司;崔荣桓 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C23F1/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王艳江;段斌 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 蚀刻 设备 | ||
1.一种基材蚀刻设备,其包括:
基材竖直固定器,其保持所述基材以使基材竖立;和
蚀刻溶液喷洒器,其将蚀刻溶液喷洒到所述竖立基材的上端部,以使蚀刻溶液在基材表面上向下流动。
2.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,其中所述蚀刻溶液喷洒器设置在所述基材的两侧上,以将蚀刻溶液同时喷洒到所述基材的两个表面上。
3.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,其中所述蚀刻溶液喷洒器是直列式喷嘴,所述直列式喷嘴将蚀刻溶液成圆形地喷洒到所述基材的表面上。
4.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,其中所述蚀刻溶液喷洒器是狭缝型喷嘴,所述狭缝型喷嘴将蚀刻溶液成线形地喷洒到所述基材的表面上。
5.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,其中所述基材竖直固定器是基材夹具,所述基材夹具露出所述基材的上周缘,并通过接触所述基材的下部和两个侧面的周缘将基材安装在基材竖直固定器上。
6.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,其中所述基材竖直固定器是卡盒,所述卡盒竖直地安装多个彼此间隔一定间距的基材。
7.如权利要求6所述的基材蚀刻设备,其中所述蚀刻溶液喷洒器位于所述卡盒上方,以将蚀刻溶液喷洒到安装在所述卡盒上的基材上。
8.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,进一步包括蚀刻率测量单元,所述蚀刻率测量单元实时地测量所述基材的蚀刻量。
9.如权利要求8所述的基材蚀刻设备,其中所述蚀刻率测量单元包括:
样品,其位于所述蚀刻溶液喷洒器的下方,并由与所述基材材料相同的材料制成;和
测量装置,其测量所述样品的蚀刻量。
10.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,进一步包括基材装载机,所述基材装载机位于所述蚀刻溶液喷洒器的前方,并供应安装于其上的基材。
11.如权利要求1所述的基材蚀刻设备,进一步包括冲洗单元,所述冲洗单元位于所述蚀刻溶液喷洒器的后方,并将去离子水喷洒到所述基材上。
12.如权利要求11所述的基材蚀刻设备,进一步包括基材干燥器,所述基材干燥器位于所述冲洗单元的后方,并干燥所述基材。
13.如权利要求12所述的基材蚀刻设备,其中所述基材干燥器是气刀。
14.如权利要求12所述的基材蚀刻设备,进一步包括基材卸载机,所述基材卸载机位于所述基材干燥器的后方,并卸载所述基材。
15.如权利要求10所述的基材蚀刻设备,进一步包括初始冲洗单元,所述初始冲洗单元位于所述基材装载机和所述蚀刻溶液喷洒器之间,并将去离子水喷洒到所述基材上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于井山股份公司;崔荣桓,未经井山股份公司;崔荣桓许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造