[发明专利]集成微电子封装应力传感器

权利要求书

1、一种方法，包括：

使用碳纳米管测量微电子集成电路上的应力。

2、如权利要求1所述的方法，包括使用碳纳米管测量半导体集成电路管芯上的应力。

3、如权利要求2所述的方法，包括形成附着到所述管芯上的碳纳米管。

4、如权利要求3所述的方法，包括在所述管芯上形成直立结构，并且在所述结构之间生长所述碳纳米管。

5、如权利要求3所述的方法，包括在衬底上的直立结构上形成碳纳米管，并且将所述衬底固定到集成电路管芯上。

6、如权利要求1所述的方法，包括使用碳纳米管测量半导体封装的管芯附着物中的应力。

7、如权利要求1所述的方法，包括使用碳纳米管测量包围集成电路管芯的化合物中的应力。

8、如权利要求1所述的方法，包括在衬底上形成三个直立结构，并且在所述结构之间生长碳纳米管。

9、如权利要求9所述的方法，包括在三个直立结构之间生长两列碳纳米管，使得一列通常与所述列中的另一列横向相交。

10、如权利要求9所述的方法，包括提供金属化以接触所述纳米管。

11、一种封装的集成电路，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的一组三个直立结构；

桥接所述结构的碳纳米管；以及

用于使所述碳纳米管上的应变能够被测量的电连接。

12、如权利要求11所述的电路，其中所述结构直接形成在衬底上，且所述衬底为半导体管芯。

13、如权利要求12所述的电路，其中所述结构支撑水平设置的碳纳米管组，一组桥接在所述结构的前两个之间，而另一组桥接在所述结构的另两个之间。

14、如权利要求13所述的电路，其中一组所述碳纳米管通常垂直于另一组碳纳米管。

15、如权利要求14所述的电路，其中所述结构形成在所述衬底上并且覆盖有催化剂。

16、如权利要求15所述的电路，其中所述催化剂能够促进碳纳米管的生长。

17、如权利要求16所述的电路，包括电耦合至所述碳纳米管的金属化部分，所述金属化部分将耦合到应变计。

18、如权利要求11所述的电路，其中所述衬底为半导体管芯并且所述结构形成在所述管芯的背面上。

19、如权利要求11所述的电路，其中所述电路由管芯附着物材料覆盖，且所述碳纳米管适合于测量所述管芯附着物材料中的应力。

20、如权利要求11所述的电路，包括填充材料，且所述碳纳米管用于测量所述填充材料中的应变。

21、一种集成电路管芯，包括：

形成在所述管芯上的一组三个直立结构；以及

在所述结构之间延伸的多个碳纳米管，一组碳纳米管通常与另一组碳纳米管垂直。

22、如权利要求21所述的管芯，其中在所述管芯的一面上定义电子部件，而在与所述一面相对的所述管芯的背面上形成所述结构。

23、如权利要求21所述的管芯，其中所述结构由非导电材料形成并在所述结构上沉积导电材料。

24、如权利要求23所述的管芯，其中所述导电材料为促进碳纳米管生长的催化剂。

25、一种系统，包括：

处理器；

耦合到所述处理器的动态随机存取存储器；以及

用于所述处理器的封装，所述封装包括管芯，所述管芯包括形成在所述管芯上的三个直立结构，碳纳米管横跨在所述结构之间。

26、如权利要求25所述的系统，其中所述结构直接形成在所述管芯上。

27、如权利要求26所述的系统，其中所述碳纳米管在邻近的直立结构之间水平设置。

28、如权利要求27所述的系统，包括两组垂直的碳纳米管。

29、如权利要求28所述的系统，其中所述结构由用于促进碳纳米管生长的催化剂覆盖。

30、如权利要求29所述的系统，包括用于允许测量横跨所述碳纳米管的电压的改变以确定所述碳纳米管中的应变并由此确定所述管芯中的应变的金属化。