[发明专利]显示基板及其制造方法、具有该显示基板的液晶显示装置有效
申请号: | 200710146413.0 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101123262A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 金仁雨;金东奎;李正浩;宋荣九;朴铉;朴旻昱;朴仁浩;李庸羽;秋玟亨;郑敬锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/48;H01L21/84;H01L21/28;G02F1/133;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 具有 液晶 显示装置 | ||
1.一种显示基板包括:
存储电极,其在形成在基板上的第一区域和第二区域上延伸;
绝缘层图案,其形成在所述存储电极上以覆盖所述基板,且在对应于所述存储电极的区域具有开口;和
第一和第二像素电极,其形成于所述绝缘层图案上,且分别位于所述第一和第二区域,
其中所述第一和第二像素电极中的至少一个在对应于所述存储电极的区域具有至少一个凹槽。
2.权利要求1中的显示基板,其中所述第一和第二区域属于不同的各自的像素区域。
3.权利要求1中的显示基板,其中所述第一和第二区域属于同一像素区域且接收对应于图像信息的不同电压。
4.权利要求1中的显示基板,其中所述第一和第二像素电极关于所述存储电极的长度方向定向,且彼此对称定向。
5.权利要求4中的显示基板,其中成对的凹槽对称地位于所述存储电极的边缘部分,同时平行于所述存储电极的长度方向延伸。
6.权利要求1的显示基板,其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。
7.权利要求6的显示基板,其中所述有机绝缘层限定每个像素区域的开口。
8.一种显示基板,包括:
存储电极,其在形成在基板上的第一和第二区域上延伸;
绝缘层图案,其形成于所述存储电极上,且在对应于所述存储电极的第一区域具有第一开口,以及在对应于所述存储电极的第二区域具有第二开口;和
第一和第二像素电极,其形成在所述绝缘层图案上且分别位于所述第一和第二区域。
9.权利要求8的显示基板,其中所述第一和第二区域分别属于彼此不同的像素区域。
10.权利要求8的显示基板,其中所述第一和第二区域属于相同像素区域且接收不同电压。
11.权利要求8的显示基板,其中所述第一和第二像素电极关于所述存储电极的长度方向倾斜,且彼此对称地弯曲。
12.权利要求11中的显示基板,其中所述绝缘层图案的第一和第二开口中的至少一个顶点被倒角,且倒角表面平行于所述第一和第二像素电极中的一个。
13.权利要求8中的显示基板,其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。
14.权利要求13中的显示基板,其中所述有机绝缘层在每个像素区域限定第一开口和第二开口。
15.一种制造显示基板的方法,所述方法包括:
在具有第一和第二区域的基板上形成存储电极,使得所述存储电极在所述基板的第一和第二区域上延伸;
在所述基板上形成栅电极,使得所述栅电极与所述存储电极相分隔,以及在所述栅电极上形成源电极和漏电极,使得所述源电极和漏电极彼此分隔开;
在所述源电极和漏电极上形成绝缘层图案,使得所述绝缘层图案在对应于所述存储电极的区域具有开口;和
在所述绝缘层图案上形成第一和第二像素电极,使得所述第一和第二像素电极分别位于所述第一和第二区域上,
其中所述第一和第二像素电极中至少一个在对应于所述存储电极的区域具有至少一个凹槽。
16.权利要求15中的方法,其中所述源电极和漏电极的形成包括:
形成半导体层和数据导电层,使得所述半导体层和数据导电层覆盖所述栅电极和存储电极;
形成具有第一厚度和不同于所述第一厚度的第二厚度的光刻胶膜图案,并且暴露所述数据导电层;
最初去除通过光刻胶膜图案暴露的所述数据导电层和形成在所述数据导电层下面的半导体层的预定部分;
去除所述光刻胶膜图案的第一厚度;
其次去除通过所述光刻胶膜图案暴露的数据导电层,由此形成所述源电极和漏电极;和
再次,去除通过源电极和漏电极暴露的半导体层的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的