[发明专利]用于制造键合晶片的方法

权利要求书

1.一种用于制造键合晶片的方法，其包括以预定深度位置将轻元素的离子注入到用于有源层的晶片中以形成离子注入层的步骤、通过绝缘膜将该用于有源层的晶片键合至用于支撑衬底的晶片上的步骤、将在该离子注入层处的该晶片剥落的步骤、为了减少通过该剥落而暴露的有源层表面上的损坏而进行牺牲氧化的第一热处理步骤和提高键合强度的第二热处理步骤，其中该第二热处理步骤是在该第一热处理步骤之后不移除在该有源层的表面上形成的氧化膜而连续地进行的。

2.根据权利要求1的制造键合晶片的方法，其中所述轻元素选自氢、氦和类似的元素。

3.根据权利要求1的制造键合晶片的方法，其中所述的第一热处理步骤是在不高于900℃的氧气气氛中的热处理。

4.根据权利要求1-3中任一项的制造键合晶片的方法，其中所述的第二热处理步骤是在不低于1050℃的氧气或氮气气氛中进行不少于2小时的热处理。