[发明专利]像素结构、其制作方法及多域垂直配向型液晶显示装置有效
申请号: | 200710146574.X | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101109883A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 林祥麟;李锡烈;杨敦钧 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 垂直 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明是关于一种像素结构及应用该像素结构的一种多域垂直配向型液晶显示装置(multi domain vertical alignment LCD),本发明还关于所述的像素结构的制作方法。
背景技术
传统液晶显示装置(例如TN型的液晶显示装置)于不同视角观察时,会发现不同的相位差值,从而感受到不同的亮度。更甚者,可发现灰阶反转(grayscale inversion)的现象。前述问题,使得传统的液晶显示装置的视角受限,此在近年来液晶显示装置朝大尺寸面版及多人使用的目标发展的情形下,更使得传统液晶显示装置的适用性受到质疑。
为解决上述问题,业界业已发展出多种增加视角的技术。其中之一称为多域垂直配向(multi domain vertical alignment,MVA)技术。MVA技术主要于显示装置中分隔多个配向区域,借此使液晶材料之间呈现一互相补偿的排列方式,以于不同视角观察到相同的相位差值,从而扩大视角范围并避免灰阶反转现象。于此,常用的MVA技术是于液晶显示装置中的适当处(例如彩色滤光片上)设置凸块(protrusions),以便分隔多个配向区域。简言之,前述技术通过凸块使液晶材料产生倾角,以便于施加电压至液晶材料时,让不同配向区域中的液晶材料朝不同方向倾斜,借此改善视角范围。此一方式虽可以解决前述视角狭隘的问题,却常可发现因凸块所引起的漏光现象,此一漏光现象则影响液晶显示装置的显示效果。
由上述说明可知,先前技术为扩大视角而于液晶显示装置的面版中设置凸块,但却导致漏光现象。有鉴于此,提供一不需设置凸块但具有大视角的液晶显示装置,为业界所殷切期盼。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种像素结构,其包含:一下基板,其具有一晶体管区及一像素区;一第一图案化导电层,设置于该下基板上,该第一图案化导电层包含一数据导线以及设置于该晶体管区内的一栅极;一图案化绝缘层,覆盖该第一图案化导电层;一主动层,设置于该栅极上方的该图案化绝缘层上;一第二图案化导电层,设置于该图案化绝缘层以及该主动层上,该第二图案化导电层包括一栅极导线以及设置于该主动层上的一源极与一漏极;一像素电极,设置于该图案化绝缘层上且与该漏极电性连接;一图案化保护层,覆盖于该图案化绝缘层、该第二图案化导电层与该像素电极之上;以及一第三图案化导电层,设置于该图案化保护层上,该第三图案化导电层包括一数据导线连接电极、一栅极导线连接电极、至少一配向电极与一共通电极,其中,该数据导线与该源极通过该数据导线连接电极呈电性连接,该栅极导线与该栅极通过该栅极导线连接电极呈电性连接,该配向电极与该像素电极呈电性连接,而部分该共通电极位于该数据导线上方。
本发明的另一目的在于提供一种多域垂直配向型液晶显示装置,其包含一上基板、一定义有一晶体管区及一像素区的下基板、以及一设置于该上基板及下基板间的液晶材料,该像素区内定义有复数配向区域,该装置另于该上基板与该下基板之间包含:一像素电极,设置于该像素区内;以及至少一配向电极,设置于该像素电极上,且与该像素电极电性连接。
本发明的再一目的在于提供一种像素结构的制造方法,用于多域垂直配向型液晶显示装置,包含:提供一定义有一晶体管区及一像素区的下基板;于该下基板上形成一第一图案化导电层,其包含一数据导线以及设置于该晶体管区内的一栅极;于该第一图案化导电层上覆盖一绝缘层;于部分该栅极上方的该绝缘层上形成一主动层;形成一第二图案化导电层,其包含一栅极导线以及设置于该晶体管区内的一源极与一漏极;于该像素区内形成一像素电极,与该漏极电性连接;形成一保护层于该绝缘层、该第二图案化导电层与该像素电极之上;施行一蚀刻制造工艺,以于该保护层与该绝缘层形成复数接触窗,分别暴露部分该源极、部分该数据导线、部分该像素电极、部分该栅极及部分该栅极导线;以及形成一第三图案化导电层于该保护层上以及该复数接触窗之中。
在本发明的像素结构的制造方法中,形成该第三图案化导电层的步骤包含:形成一数据导线连接电极于该经暴露的部分该数据导线上及该经暴露的部分该源极上,以电性连接该数据导线与该源极;形成一栅极导线连接电极于该经暴露的部分该栅极导线上以及经暴露的部分该栅极上,以电性连接该栅极导线与该栅极;以及形成至少一配向电极于该经暴露的部分该像素电极上,该至少一配向电极与该像素电极电性连接。
附图说明
图1A为本发明像素结构的俯视示意图;
图1B则为图1A中剖面线AA’、BB’及CC’处的剖面示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710146574.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:黑矩阵成分及其形成方法
- 下一篇:油润滑式滚子轴承装置