[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710146683.1 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101131932A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 舟瀬谕志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，用于制造具有硅化物膜的半导体装置，其特征在于，包括：
以在基板表面上露出硅化物形成区域的状态，在基板上形成金属膜的工序；
通过在高于大气压的压力下的热处理，使所述硅化物形成区域含有的硅与所述金属膜反应，形成硅化物膜的工序；
在所述热处理中，除去未反应的所述金属膜的工序；和
通过热处理，使所述硅化物膜发生结晶相转移，进行低电阻化的工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述在高于大气压的压力下的热处理的处理温度为600℃以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述在高于大气压的压力下的热处理的处理压力为1040hPa以上。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
还包括在所述硅化物膜形成工序之前，在所述金属膜上形成抗氧化膜的工序。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述抗氧化膜由氮化钛或氮化钨构成。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述金属膜含有选自钴、镍和钛中的至少一种金属。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述金属膜形成后，将使硅化物膜达到低电阻化的热处理分成2次以上进行实施。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
