[发明专利]喷水激光切割用粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及喷水激光切割用粘合片(ウオ—タ—ジエツトレ—ザダイシング，water jet laser dicing)，更为详细地，涉及在通过喷水激光来切割半导体晶片和/或半导体相关材料时为进行固定而使用的喷水激光切割用粘合片。

背景技术

以往，半导体晶片和半导体相关材料通过使用已知的作为切割刀片的旋转刀片来切割，并分离为芯片和IC部件。在该切割工序中，通常，为了固定半导体晶片等，首先将半导体晶片粘接在被称为切割胶带等的粘接带上。并且，半导体晶片被切割为芯片状后，通过拾取从粘结胶带上剥离下来。

但是，用该方法切断的芯片等由于切割刀片产生的物理应力，会引起切飞(ダイフライ)或产生裂纹、碎片等缺陷，产生的问题是这些芯片等的品质降低、该切割方法的生产性也降低。因此，尝试着进一步增强粘结胶带的粘合力，但近年来，受到电子装置的小型化、对更薄的晶片的需要的增加等影响，而成为更加严重的问题。

另一方面，粘结胶带的结合力的增强使切割后的芯片等更难剥离，根据情况，造成芯片等的缺损等。再者，晶片等上的污染物质以更强的粘合力粘结在粘结胶带上，带来污染切割装置的弊病。

因此，作为代替使用切割刀片的半导体晶片等的切割技术，提出了使用激光束的切割方法，特别是使用由液体喷射引导的激光束进行的切断、穿孔、熔接、刻印和剥离等的材料加工方法(例如专利文献1)。在该方法中，由于晶片等只暴露于来自上方的水流，故而可以防止旋转刀片带来的物理应力而产生的切飞等。

再者，在使用该激光技术的切割方法中，存在由于利用水流而引起的晶片等容易从固定它们的粘结带上剥离的问题，对此，提出了可以适合使用于喷水激光切割的粘合片(例如专利文献2)。

专利文献1：WO95/32834号

专利文献2：特开2001-316648号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明期望通过喷水激光切割，将进一步薄膜化的半导体晶片和/或半导体相关材料加工成更小且更薄的芯片或IC部件等，另外，本发明的目的在于，提供一种粘合片，该粘合片在随着切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的状况下，可以确保切割时晶片等的良好粘结，同时防止芯片或部件从粘结胶带上剥离，并且，剥离切割后的芯片或IC部件等不会产生缺损等缺陷，能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。

解决问题的方法

本发明的喷水激光切割用粘合片是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的喷水激光切割用粘合片，其特征在于，构成上述粘合剂层的粘合剂是能量线固化型粘合剂，该粘合片具有1.5N/20mm以上的粘合强度。

在该喷水激光切割用粘合片中，基材膜优选具有穿孔且空隙率为3～90％或含有由聚烯烃制成的层。

再者，穿孔优选具有5～800μm的径或具有25μm²～3.0mm²大小。

而且，粘合剂优选包含橡胶类或丙烯酸类粘合剂。

再者，优选具有超过100％的伸长率或具有超过0.1N/10mm的拉伸强度。

而且，照射能量线后的粘合强度优选不足0.2N/20mm。

发明效果

根据本发明的喷水激光切割用粘合片，期望将进一步薄膜化的半导体晶片和/或半导体相关材料加工成更小、更薄的芯片或IC部件等，而且在随着切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的情况下，可以在切割时确保晶片等的良好粘结的同时，防止芯片或部件从粘结胶带上剥离。再者，提供一种剥离切割后的芯片或IC部件等时不会产生缺损等缺陷，并能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工的粘合片。

具体实施方式

本发明的喷水激光切割用粘合片主要包括基材膜和设置于其上的粘合剂层。这里，所谓喷水激光切割用粘合片是指在使用由液体流(通常为水流)引导的激光束的切割中使用，并且可以在切割时使来自该液体流的液体从粘合片的一侧表面流向另一侧表面的粘合片，所述液体例如是从粘合剂层侧直接或间接地向粘合片上供给规定压力以上的液体流时的液体。此时的规定压力通常可以为几MPa左右以上。