[发明专利]非易失性的电可编程存储器

权利要求书

1.一种固态大容量存储器件(105，100；400，415，420)，其限定了适合存储数据的存储区域(100；415)，该存储区域适合用于以第一存储密度以第一数据传送速度来存储数据，该存储区域至少包括第一存储区域部分(120)和第二存储区域部分(130)，该固态大容量存储器件进一步包括存取装置(105；420，440)，该存取装置适合于利用第一存储区域部分来以第二存储密度以第二数据传送速度存储数据，并且适合于利用第二存储区域部分来以第三存储密度和第三数据传送速度存储数据，其中：

第二存储密度低于第三存储密度，其又低于或等于第一存储密度；

第二数据传送速度高于第三数据传送速度，其又高于或等于第一数据传送速度。

2.根据权利要求1的固态大容量存储器件，其中：

该存储区域被存储器阵列限定，所述存储器阵列包括适合于存储数据、按照多行和多列设置的多个存储器单元；以及

所述存储器单元列至少按照第一和第二集合列设置，第一集合列交替于第二集合列。

3.根据权利要求2的固态大容量存储器件，其中存取装置适合于使数据在第一存储区域部分中仅被存储在属于第一集合列或第二集合列的存储器单元中。

4.根据权利要求2或3的固态大容量存储器件，其中存取装置适合于使数据在第一存储区域部分中被存储在属于非相邻行的存储器单元中。

5.根据权利要求2到4中任一项的固态大容量存储器件，其中所述存储器单元是多级单元，每一个适合用于存储预定数目的位，该预定数目大于一。

6.根据权利要求5的固态大容量存储器件，其中存取装置适合于使第一存储部分中的存储器单元用于在其每一个中存储比所述预定数目小的位数。

7.根据权利要求2到6中任一项的固态大容量存储器件，其中存取装置适合于向第一或第二存储区域部分中的被寻址的存储器单元组的每一个存储器单元施加编程电压脉冲序列以在其中存储数据。

8.根据权利要求7的固态大容量存储器件，其中：

所述被寻址的存储器单元组包括属于至少一行的存储器单元；以及

该存取装置适合于在连续的时间内将每个编程电压脉冲施加到属于第一集合列的被寻址组的存储器单元和属于第二集合列的被寻址组的存储器单元。

9.根据权利要求8的固态大容量存储器件，其中存取装置适合于利用第一或第二存储区域部分来以第四存储密度以第四数据传送速度存储数据，其中第四存储密度高于第一存储密度，并且第四数据传送速度低于第一数据传送速度。

10.根据前述权利要求中任一项的固态大容量存储器件，其中该固态大容量存储器件是NAND快闪存储器器件。

11.一种利用固态大容量存储器件的存储区域存储数据的方法，其中该存储区域适合用于以第一存储密度以第一数据传送速度存储数据，该方法包括：

接收将被存储到该大容量存储器件中的数据；以及

利用所述存储区域的第一存储区域部分来以第二存储密度以第二数据传送速度存储接收到的数据，或者利用所述存储区域的第二存储区域部分来以第三存储密度和第三数据传送速度存储接收到的数据，

其中第二存储密度低于第三存储密度，其又低于或等于第一存储密度，并且第二数据传送速度高于第三数据传送速度，其又高于或等于第一数据传送速度。

12.根据权利要求11的方法，其中：

该存储区域被存储器阵列限定，所述存储器阵列包括适合于存储数据、按照多行和多列设置的多个存储器单元；以及

所述存储器单元列至少按照第一和第二集合列设置，第一集合列交替于第二集合列。

13.根据权利要求12的方法，进一步包括：

在第一存储区域部分中，将接收到的数据仅存储在属于第一集合列或属于第二集合列的存储器单元中。

14.根据权利要求12或13的方法，进一步包括：

在第一存储区域部分中，将接收到的数据仅存储在属于非相邻行的存储器单元中。

15.根据权利要求12至14中任一项的方法，其中所述存储器单元是多级单元，每一个适合用于存储预定数目的位，该预定数目大于一。