[发明专利]掺镱钙铌石榴石晶体及激光器件无效

专利信息
申请号: 200710147091.1 申请日: 2007-09-05
公开(公告)号: CN101187062A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 张怀金;刘均海;王继扬;陶绪堂;蒋民华 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;H01S3/16
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人: 许德山
地址: 250100山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 掺镱钙铌 石榴石 晶体 激光 器件
【权利要求书】:

1.掺镱钙铌石榴石晶体,具有通式Yb:Ca3(NbGa)2-xGa3O12,X=0.1500~0.2250,Yb掺杂浓度为小于30at.%,该晶体属立方晶系,空间群:Ia3d,晶胞参数:a=b=c=12.492。

2.权利要求1所述的掺镱钙铌石榴石晶体作为激光晶体制造端面泵浦的激光器件的应用。

3.如权利要求2所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,所述激光晶体的通光面尺寸为圆形或方形,通光方向厚度为0.2-10mm。

4.如权利要求2所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,在激光晶体两个端面直接镀介质膜用作激光腔镜,利用半导体激光器或其他类型激光器端面泵浦激光晶体输出固体激光。

5.如权利要求2所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,所述激光晶体与声光调Q、电光调Q、被动调Q或锁模元件组合构成连续或脉冲激光器件。

6.如权利要求5所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,将激光晶体与被动调Q元件可饱和吸收体Cr4+:YAG放置在激光腔内组成被动调Q脉冲激光器件,激光晶体和调Q元件镀可降低反射损耗的介质膜,利用半导体激光器或其他类型激光端面泵浦激光晶体产生被动调Q脉冲激光。

7.如权利要求5所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,将激光晶体放置在激光腔内组成锁模激光器件,激光晶体上镀有利于端面泵浦、激光谐振和脉冲激光输出的介质膜,利用半导体饱和吸收体的一个面作为腔镜,对使用半导体或其他类型激光端面泵浦激光晶体,半导体饱和吸收体对激光进行锁模,输出锁模激光。

8.如权利要求5所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,将激光晶体与主动调Q器件放置在激光腔内组成主动声光和电光调Q脉冲激光器件,激光晶体和调Q元件镀可降低反射损耗的介质膜,利用半导体激光器或其他类型激光端面泵浦激光晶体产生主动调Q脉冲激光。

9.如权利要求5所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,其特征在于:将激光晶体、被动调Q元件可饱和吸收体Cr4+:YAG和用作倍频的非线性光学晶体放置到激光腔内组成被动调Q腔内倍频脉冲激光器件,激光晶体、非线性光学晶体和调Q元件镀可降低反射损耗的介质膜,利用半导体激光器或其他类型激光端面泵浦激光晶体产生可见被动调Q脉冲激光。

10.如权利要求5所述的掺镱钙铌石榴石晶体的应用,其特征在于,将激光晶体、主动调Q器件和用作倍频的非线性光学晶体放置到激光腔内组成主动调Q腔内倍频脉冲激光器件,激光晶体、非线性光学晶体和调Q元件镀可降低反射损耗的介质膜,利用半导体激光器或其他类型激光端面泵浦产生可见主动调Q脉冲激光。

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