[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，特别是涉及具备硅化物膜的半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，公知有具备硅化物膜的半导体装置(例如，参见专利文献1)。

在上述专利文献1所公开的现有半导体装置中，在双极性晶体管的发射极电极的表面形成钴(Co)或钛(Ti)，通过进行热处理，形成硅化钴膜或硅化钛膜。另外，通过将发射极电极与金属和硅产生化学反应(硅化反应)后的金属半导体化合物，可以降低发射极电阻，且可以增大截止频率。进而，在发射极电极和发射极层之间的界面进行硅化反应，可以进一步降低发射极电阻，且可以进一步增大截止频率。

专利文献1：日本国特开2006-54409号公报。

但是，上述专利文献1中所公开的现有半导体装置中，在发射极电极和发射极层之间的界面，在对发射极电极进行硅化反应时，因为发射极电极和发射极层接触，所以存在硅化反应进入到发射极层甚至进入到基极层的问题。由此，因为发射极层和基极层短路，所以使晶体管失去功能。另外，发射极层不是整体，而是部分地被硅化时，因为与发射极层的基板垂直方向的深度减少，所以发射极层和基极层之间的载流子浓度的梯度增大。因此，引起基极电流的增大，而且使晶体管的放大率降低。其结果，晶体管的性能恶化。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出，本发明目的之一，提供一种可以抑制硅化反应进入到发射极层的半导体装置。

本发明的技术方案一的半导体装置，具备：发射极层；发射极电极，其形成在发射极层的表面上，由金属和半导体的金属半导体化合物构成；和第一反应抑制层，其形成在发射极层和发射极电极之间，抑制自发射极电极开始扩散的金属的透过。

在本发明中，如上所述，通过在发射极层和发射极电极之间，具备用于抑制从发射极电极开始扩散的金属的透过的第一反应抑制层，在对发射极电极进行硅化反应到达发射极电极和发射极层之间的界面时，通过第一反应抑制层，可以抑制金属从发射极电极向发射极层的透过，因此可以抑制硅化反应进入到发射极层。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的双极性晶体管的剖面图。

图2是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图3是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图4是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图5是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图6是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图7是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图8是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图9是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图10是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图11是用于说明本发明第一实施方式的双极性晶体管的制造工艺的剖面图。

图12是本发明第二实施方式的双极性晶体管的剖面图。

图13是本发明第三实施方式的半导体装置的剖面图。

图14是用于说明本发明第三实施方式的半导体装置的制造工艺的剖面图。

图15是本发明第四实施方式的半导体装置的剖面图。

图16是用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造工艺的剖面图。

图17是本发明第五实施方式的半导体装置的剖面图。

图中符号说明：

7-扩散层(发射极层)，8、8b-反应抑制层(第一反应抑制层)，9a-硅化钴膜(发射极电极)，13-多晶硅膜(第二半导体层)，33、33b、45、46-栅极绝缘膜，34、47、50-栅极电极，49-半导体层(第三半导体层)。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

(第一实施方式)

图1是本发明第一实施方式的双极性晶体管100的剖面图。

在双极性晶体管100中，在p型的硅基板1的表面形成有n型集电极层2。另外，在集电极层2的表面形成有使用STI(Shallow Trench Isolation)的元件分离区域3。另外，在集电极层2的表面上，隔以规定的间隔，形成一对p+型的扩散层4。另外，在被集电极层2的表面上的一对扩散层4所夹持的区域，作为基极区域使用，形成有由硅锗(SiGe)构成的SiGe层5。另外，在SiGe层5的表面上形成p型硅膜6。