[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710147742.7 | 申请日： | 2004-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101114687A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
在基板表面上形成的、至少在表面的一部分上具有错位集中的表面区域的半导体元件层；
在比所述错位集中的所述表面区域更靠内侧的区域上形成的凹部；和
以与所述错位集中的所述表面区域以外的所述半导体元件层的表面的区域相接触的方式形成的表面侧电极，
其中，所述半导体元件还包括发光层，所述发光层被所述凹部分开。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述基板至少在背面的一部分上具有所述错位集中的背面区域，
还包含以与所述错位集中的所述背面区域以外的所述基板的背面的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，
还包含在所述错位集中的所述背面区域上形成的绝缘膜。
4.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，
所述基板包含氮化物类半导体基板。
5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述半导体元件层具有凸部。
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