[发明专利]激光加工方法

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点(condensed point)并照射激光，从而在加工对象物的内部形成改质区域，该改质区域沿着所述加工对象物的切割预定线延伸并且在延伸方向上的一端和另一端达到所述加工对象物的外缘，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域，沿着在所述加工对象物中在第1方向上延伸的多个第1切割预定线，和在所述加工对象物中在与所述第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个而形成。

3.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体材料基板。

4.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体材料基板。

5.如权利要求3所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为熔融处理区域，该熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包括非晶构造和多晶构造的区域。

6.如权利要求4所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为熔融处理区域，该熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包括非晶构造和多晶构造的区域。

7.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在加工对象物的内部形成改质区域，该改质区域沿着所述加工对象物的切割预定线延伸并且在延伸方向上的一端和另一端未达到所述加工对象物的外缘，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

8.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于：

通过向所述加工对象物施加应力，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

9.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体材料基板。

10.如权利要求8所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体材料基板。

11.如权利要求9所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为熔融处理区域，该熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包括非晶构造和多晶构造的区域。

12.如权利要求10所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为熔融处理区域，该熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包括非晶构造和多晶构造的区域。

13.一种激光加工方法，其特征在于：

包括，通过向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射脉冲激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个改质点，利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域的工序；

在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中，相邻的所述改质点间的距离，与沿着所述切割预定线的方向的所述改质点的长度大致相同或在其以下。

14.如权利要求13所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质点为熔融处理点，所述改质区域为熔融处理区域。

15.如权利要求13所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质点为折射率变化点，所述改质区域为折射率变化区域。

16.如权利要求13所述的激光加工方法，其特征在于：

以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。