[发明专利]激光加工方法、半导体材料基板的切断方法

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点(condensed point)并照射脉冲激光，从而使在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中沿着所述加工对象物的切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个；利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域。

2.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射脉冲激光，从而使在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中沿着所述加工对象物的切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着所述切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个；利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域；以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

3.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射脉冲激光，从而使所述加工对象物的厚度方向的长度成为最大的改质点，沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个，利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域。

4.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射脉冲激光，从而使所述加工对象物的厚度方向的长度成为最大的改质点，沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个，利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域；以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

5.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中，使沿着在所述加工对象物的第1方向上延伸的第1切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着所述第1切割预定线，在所述加工对象物的内部形成多个；并且，在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中，使沿着在与所述加工对象物的第1方向相交的第2方向上延伸的第2切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着所述第2切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个；利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域。

6.一种激光加工方法，其特征在于：

向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中，使沿着在所述加工对象物的第1方向上延伸的第1切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着所述第1切割预定线，在所述加工对象物的内部形成多个；并且，在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中，使沿着在与所述加工对象物的第1方向相交的第2方向上延伸的第2切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着所述第2切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个；利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域；以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

7.如权利要求1～6中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为熔融处理区域。

8.如权利要求1～6中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为裂纹区域。

9.如权利要求1～6中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为折射率变化区域。

10.如权利要求1～6中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体材料基板。

11.如权利要求1～6中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为玻璃基板。

12.如权利要求1～6中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为压电材料基板。

13.如权利要求10所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区域为熔融处理区域，该熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包括非晶构造和多晶构造的区域。