[发明专利]制造半导体器件的方法、工具和装置

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：

通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座与放置在该基座上的半导体基板之间的接合度；以及

通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合度增加机构包括所述基座和放置在所述半导体基板上的重石，其中所述重石的重量使得所述基座与所述半导体基板彼此紧密地接合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述重石放置在所述半导体基板中用于形成器件的区域之外。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述重石是加热件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合度增加机构包括所述基座和放置在所述半导体基板上并与所述基座啮合的盖子。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述盖子放置在所述半导体基板中用于形成器件的区域之外。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述盖子是加热件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合度增加机构包括所述基座和设置在所述基座与所述半导体基板之间的粘合层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘合层的主要成分是糖类。

10.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：

通过使用传热增加机构，增加传递至放置在作为加热件的基座上的半导体基板的热量；以及

通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述传热增加机构包括所述基座和放置在所述半导体基板上并具备辐射光吸收能力的多个小片。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述基座能够支承呈堆叠形式的多个半导体基板。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述小片按照在平面图中彼此不交叠的方式来布置。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述小片放置在所述半导体基板中用于形成器件的区域之外。

15.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述半导体基板的所述步骤在真空中进行。

16.根据权利要求10所述的方法，其中加热所述半导体基板的所述步骤在真空中进行。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基板的主要成分是碳化硅和金刚石之一。

18.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体基板的主要成分是碳化硅和金刚石之一。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基板的主要成分是氮化物。

20.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体基板的主要成分是氮化物。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述氮化物是氮化镓、氮化铝、氮化硼、氮化铝镓和氮化硼铝镓之一。

22.根据权利要求20所述的方法，其中所述氮化物是氮化镓、氮化铝、氮化硼、氮化铝镓和氮化硼铝镓之一。

23.根据要求1所述的方法，其中所述半导体器件是肖特基势垒二极管、PiN结二极管、混合PiN肖特基势垒二极管、结势垒肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、静电感应晶体管、结场效应晶体管、金属半导体场效应晶体管和双极晶体管之一。

24.根据要求10所述的方法，其中所述半导体器件是肖特基势垒二极管、PiN结二极管、混合PiN肖特基势垒二极管、结势垒肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、静电感应晶体管、结场效应晶体管、金属半导体场效应晶体管和双极晶体管之一。

25.一种制造半导体器件的工具，其中：

在通过来自于作为加热件的基座的热量将半导体基板加热到具有预定温度时，该工具用于支承所述半导体基板；并且

该工具具有接合度增加机构，用于增加所述半导体基板与所述基座之间的接合度。