[发明专利]使用电感转换的磁随机存取存储器装置

权利要求书

1.一种磁存储器装置，包括：

磁阻结构，包括第一自由层，其中，第一自由层的两个边之间的距离在宽度方向上改变。

2.如权利要求1所述的磁存储器装置，其中，第一自由层的两个边向边的中心凹陷。

3.如权利要求1所述的磁存储器装置，其中，第一自由层的两个边之间的距离向两个边的中心增大，并且随远离边的中心而减小。

4.如权利要求1所述的磁存储装置，其中，第一自由层的两个边彼此相对，并且向彼此凸起。

5.如权利要求1所述的磁存储装置，其中，第一自由层具有椭圆形结构。

6.如权利要求1所述的磁存储装置，其中，第一自由层具有四个边，包括相互平行的两个边和不相互平行的两个边。

7.如权利要求1所述的磁存储装置，其中，第一自由层具有四个边，包括具有沿两个边的中心减小的宽度的两个边。

8.如权利要求1所述的磁存储装置，其中，第一自由层具有四个边，包括具有向两个边的中心增大并随后随远离两个边的中心而减小的宽度的两个边。

9.如权利要求1所述的磁存储器装置，其中，自由层具有非矩形形状。

10.如权利要求1所述的磁存储器装置，其中，自由层的两个边是彼此的镜像。

11.如权利要求1所述的磁存储器装置，其中，自由层的两个边之间的距离在宽度方向上随两个边的长度变化。

12.如权利要求1所述的磁存储器装置，还包括：

下部电极；

磁阻结构，在下部电极上；以及

上部电极，在磁阻结构上。

13.如权利要求12所述的磁存储器装置，其中，磁阻结构包括：

反铁磁性层，在下部电极上；

固定层，其磁化方向由所述反铁磁性层固定；

非磁性层，在固定层上；以及

第一自由层，在非磁性层上。

14.如权利要求12所述的磁存储器装置，其中，磁阻结构包括：

第一自由层，在下部电极上；

非磁性层，在第一自由层上；

第二自由层，在非磁性层上；以及

反铁磁性层，在第二自由层上并固定第二自由层的磁化方向。

15.如权利要求12所述的磁存储器装置，其中，下部电极、上部电极和磁阻结构层具有与自由层完全相同的形状。

16.如权利要求12所述的磁存储器装置，其中，下部电极、上部电极和磁阻结构层具有与自由层完全不同的形状。