[发明专利]气化装置和半导体处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及用于由液体原料得到处理气体的气化装置和半导体处理系统。这里，所谓半导体处理意味着，通过在晶片或LCD(LiquidCrystal Display：液晶显示器)等FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定的图案形成半导体层、绝缘层和导电层等，为了在该被处理基板上制造半导体设备和包括与半导体设备连接的配线、电极等构件而实施的各种处理。

背景技术

作为半导体制造处理之一，有在半导体晶片W的表面形成规定膜的成膜处理。该处理使用例如减压CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置进行。该减压CVD装置，以气体状态供给原料，进行化学反应，使薄膜堆积在晶片表面。在这种装置中，有时将使液体原料气化得到的处理气体作为成膜气体，导入处理室内。

作为使用将液体原料气化得到的处理气体的成膜处理的示例，有以下的例子。即。使用将TEOS(Si(OC₂HO₅)₄，tetra ethoxy silane：四乙氧基硅烷)气化得到处理气体和氧(O₂)气，形成SiO₂膜。使用将六氯二硅烷(Si₂ClO₆)气化得到的处理气体和氨(NH₃)气，形成氮化硅(Si₃N₄)膜。

另外，也可以使用金属的有机化合物(配位化合物)形成其金属膜。作为其示例，有以下的例子。即，使用将铪系液体原料气化得到的处理气体和氧气，形成铪氧化膜。使用分别将钛(Ti)、锶(Sr)和钡(Ba)系液体原料气化得到的处理气体和氧气，形成BST(钡锶钛)氧化膜。

一直以来，TEOS等蒸气压高的液体原料，利用热烘方式使液体原料中所含的液中颗粒(约3000个/1ml)气化。由此，只将蒸气供给至处理腔室，液中颗粒残留在贮存于加热槽中的液体原料中。但是，铪系液体原料等蒸气压低的液体原料，由于气体的分解温度低，难以利用热烘方式气化。并且，由于将液体原料长时间保存在高温的容器内，液体原料变质。因此，通过采用利用载气将由喷射器雾化的液体原料供给至加热到规定温度的气化室内的喷射方式，可以促进液体原料的气化。但是，由于液中颗粒也被一起注入喷射器内，因此需要在气化室内具有收集该颗粒的过滤器。

另外，为了与半导体设备设计的多样化对应，使用各种金属有机化合物作为液体原料。例如，当使用Hf、Zr、St等有机化合物时，蒸气压比TEOS等低1/10以上。在这种低蒸气压液体原料的情况下，难以气化，无法避免未气化成分(雾)的残留。如果处理气体中含有雾，则成为作为颗粒附着在晶片上的主要原因，因此需要在气化器的出口侧或气体供给路上设置过滤器。

过滤器通过固定部件固定在形成气化器的气化室的容器上。过滤器由埋设在容器内的加热器，隔着固定部件，从其周边部被加热。在专利文献1(日本特开2004-211183号公报(段落0012，图2))中公开了以覆盖在腔室本体的侧面上形成的排出口的方式配置有过滤器的气化器。用螺栓固定该过滤器，使其背面侧与腔室本体的壁面紧密贴合，利用配置在腔室本体的过滤器安装面附近的加热器进行加热。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够长时间地进行稳定气化的气化装置和使用该装置的半导体处理系统。

在本发明的第一观点中，提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，其特征在于，包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热；气体导出路，与上述气化容器连接，使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出；过滤器，配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间，捕捉上述生成气体中的雾；和红外线照射机构，向上述过滤器照射红外线。