[发明专利]利用磁畴壁移动的数据存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种数据存储装置，包括：

第一磁层，用于写数据，并包括在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；

第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。

2.如权利要求1所述的数据存储装置，还包括：

数据记录装置，连接至第一磁层的两端以及第二磁层的与第一磁层不相邻的一端；

读磁头，设置为与第二磁层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；

电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。

3.如权利要求2所述的数据存储装置，其中，读磁头包括顺序设置于第二磁层的下表面的绝缘头层、电极层、铁磁自由层、分离层和铁磁固定层。

4.如权利要求3所述的数据存储装置，其中，电极层和铁磁固定层连接至电流检测器。

5.如权利要求2所述的数据存储装置，其中，读磁头包括顺序设置于第二磁层的下表面的铁磁自由层、分离层和铁磁固定层。

6.如权利要求5所述的数据存储装置，其中，铁磁固定层和第二磁层的所述一端连接至电流检测器。

7.如权利要求6所述的数据存储装置，其中，在第二磁层的所述一端和电流检测器之间以及第二磁层的所述一端和数据记录装置之间分别设置开关装置。

8.如权利要求2所述的数据存储装置，其中，数据记录装置包括电流控制器。

9.如权利要求2所述的数据存储装置，其中，数据记录装置包括电压控制器。

10.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，按照规则的间隔设置多个第二磁层。

11.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，形成堆叠结构的多个第一磁层，所述多个第一磁层中的每个第一磁层具有设置于其上的多个第二磁层。

12.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，第一磁层和第二磁层具有相同的材料。

13.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，第一磁层满足这样的条件：距离第一磁层的中心越远，第一磁层的两端中的至少一端的宽度越大。

14.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，第一磁层的两端中的一端具有比除了第一磁层的两端以外的其余区域大的宽度。

15.如权利要求13所述的数据存储装置，其中，第一磁层的两端具有不同的尺寸。

16.如权利要求14所述的数据存储装置，其中，第一磁层的两端具有不同的尺寸。

17.如权利要求1所述的数据存储装置，还包括：反铁磁层，设置于第一磁层的一端。

18.如权利要求1所述的数据存储装置，还包括：第一反铁磁层和第二反铁磁层，形成于第一磁层的任一端并具有不同的Neel温度T_N。

19.如权利要求1所述的数据存储装置，还包括：非磁层、铁磁固定层和第一反铁磁层，顺序设置于第一磁层的一端；和第二反铁磁层，设置于第一磁层的另一端。

20.一种操作数据存储装置的方法，所述数据存储装置包括第一磁层和第二磁层，第一磁层用于写数据并包括在彼此相反的方向磁化的两个磁畴，第二磁层用于存储数据并形成于第一磁层的一侧，所述方法包括：

将第一磁层的磁畴之一延伸至第一磁层的与第二磁层接触的部分；

将第一磁层的与第二磁层接触的部分的磁畴向第二磁层移动与一比特的长度对应的距离。

21.如权利要求20所述的方法，其中，所述延伸的步骤通过在第一磁层的两端之间流动电流来执行，所述移动的步骤通过从第二磁层向第一磁层流动电流来执行。