[发明专利]旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置有效
| 申请号： | 200710148055.7 | 申请日： | 2007-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101312232A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王郁仁;邓端理;郑旭辰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 旋转 扭矩 转移 磁阻 随机存取存储器 装置 | ||
1.一种磁性存储器组件，包含：
一磁隧道结组件，包括至少一自由层，所述自由层的一磁化可通过旋转扭矩转移来切换；以及
一电极，包含一固定层、一被固定层、与一非磁性传导层；
其中，所述电极的所述非磁性传导层插入在所述电极的所述被固定层与所述磁隧道结组件的所述自由层之间，所述磁隧道结组件包括具有一第一表面区域的一第一表面，且所述电极包括一第二表面，所述电极的所述第二表面耦合至所述磁隧道结组件的所述第一表面，以形成一接口区域，其中所述接口区域小于第一表面区域。
2.根据权利要求1所述的存储器组件，其中，所述非磁性传导层厚度小于600埃。
3.根据权利要求1所述的存储器组件，其中，所述第二表面包括一非磁性传导层表面。
4.根据权利要求1所述的存储器组件，其中，所述电极的所述第二表面的一部分没有直接耦合至所述第一表面区域。
5.根据权利要求1所述的存储器组件，其中，所述第一表面包括一自由层的一表面。
6.一种形成磁性存储器组件的方法，包含：
提供一基板；
在所述基板上形成一包括至少一自由层的磁隧道结组件，所述自由层的一磁化可通过旋转扭矩转移来切换；以及
在所述基板上形成一电极，耦合至所述磁隧道结组件，其中，形成所述电极包含至少形成一固定层、一被固定层与一非磁性层传导层中的各一个；
其中，所述磁隧道结组件包括具有一第一表面区域的一第一表面，且所述电极包括一第二表面，所述电极的所述第二表面耦合至所述磁隧道结组件的所述第一表面，以形成一接口区域，其中所述接口区域小于第一表面区域。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述非磁性传导层是使得形成的非磁性传导层避免所述被固定层及所述自由层磁性耦合。
8.一种程序化磁性存储器组件的方法，包含：
提供一存储器组件，包含耦合至一磁隧道结组件的一电极，所述磁隧道结组件包括一自由层，所述自由层的一磁化可通过旋转扭矩转移来切换；
供应一电流至所述电极；
使用所述电极以旋转极化所述电流；以及
经由所述电极与所述磁隧道结组件间的一接口区域，将所述旋转
极化电流从所述电极供应至所述磁隧道结组件，其中，
所供应的所述电流足以切换所述自由层的磁化方向；
所述磁隧道结组件包括具有一第一表面区域的一第一表面，且所述电极包括一第二表面，所述电极的所述第二表面耦合至所述磁隧道结组件的所述第一表面，以形成一接口区域，其中所述接口区域小于第一表面区域。
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