[发明专利]半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置有效
| 申请号： | 200710148148.X | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101136429A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 竹口彻;由良信介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 薄膜晶体管 制造 方法 以及 装置 | ||
1.一种半导体薄膜，是一种通过在非晶半导体薄膜上照射激光而多晶化的半导体薄膜，
其晶粒排列成格子状，
上述晶粒的大小约为上述激光的振荡波长的一半。
2.如权利要求1所述的半导体薄膜，其特征在于：
上述多晶化的半导体薄膜的表面的平均粗糙度在3nm以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体薄膜，其特征在于：
上述多晶化的半导体薄膜是由多晶硅膜形成。
4.如权利要求1或2所述的半导体薄膜，其特征在于：
上述排列成格子状的晶粒的排列方向与激光照射扫描方向垂直。
5.一种薄膜晶体管，其具有权利要求1或2所述的半导体薄膜。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于：
沟道的朝向配置为与上述排列成格子状的晶粒大致相同的方向。
7.一种半导体薄膜的制造方法，其具备：
在基板上形成非晶半导体薄膜的工序；和
通过在上述非晶半导体薄膜上照射激光，而形成具有排列成格子状的晶粒的多晶化的半导体薄膜的工序，
上述晶粒的大小大致相当于所照射的上述激光的振荡波长的一半。
8.如权利要求7所述的半导体薄膜的制造方法，其特征在于：
上述激光是Nd:YAG激光的第2高次谐波。
9.如权利要求7或8所述的半导体薄膜的制造方法，其特征在于：
上述多晶化的半导体薄膜的表面的平均粗糙度在3nm以下。
10.如权利要求7或8所述的半导体薄膜的制造方法，其特征在于：
上述多晶化的半导体薄膜是由多晶硅膜形成。
11.如权利要求7或8所述的半导体薄膜的制造方法，其特征在于：
上述晶粒的排列方向与激光照射扫描方向垂直。
12.如权利要求7或8所述的半导体薄膜的制造方法，其特征在于：
上述激光的偏振光是圆偏振光。
13.一种薄膜晶体管的制造方法，其具有权利要求7或8所述的半导体薄膜的制造方法。
14.如权利要求13所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
上述半导体薄膜的沟道的朝向配置为与上述排列成格子状的晶粒大致相同的方向。
15.一种半导体薄膜的制造装置，是一种通过在非晶半导体薄膜上照射激光而多晶化的半导体薄膜的制造装置，其具备
在所照射的上述激光中产生圆偏振光的圆偏振光单元；和
从上述非晶半导体薄膜上照射上述激光的照射单元，
其晶粒排列成格子状，
上述晶粒的大小约为上述激光的振荡波长的一半。
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