[发明专利]混合集成电路器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种功率放大器模块，具有功率放大电路，所述功率放大电路包括：

第一布线基板，具有主表面和与主表面相对的背面；

具有功率放大电路的放大元件的半导体芯片，安装在第一布线基板的主表面上；

多个第一电极端子，排列在第一布线基板的背面；

多个第二电极端子，排列在第一布线基板的背面；

其中网格焊盘阵列结构包括所述第一和第二电极端子；

所述多个第一电极端子用于为功率放大电路输入和输出信号；

所述多个第二电极端子用于地电位供应；

所述第一布线基板具有在平面图上彼此相对的两对边沿；

所述多个第一电极端子沿第一布线基板的背面的所述两对边沿排列；

所述多个第二电极端子在第一布线基板的背面上所述多个第一电极端子的内侧排列；

所述第二电极端子不在第一布线基板的背面的所述两对边沿处排列；以及

所述第二电极端子的每一个在其宽度方向上定义的宽度大于在彼此最邻近的两个第二电极端子之间的在所述宽度方向上定义的距离。

2.根据权利要求1的功率放大器模块，其中所述功率放大器模块被安装在第二布线基板的主表面上；

其中多个焊盘排列在第二布线基板的主表面上；及

第一布线基板的第一和第二电极端子通过焊料连接到第二布线基板的所述多个焊盘。

3.根据权利要求1的功率放大器模块，其中所述多个第二电极端子成行排列。

4.根据权利要求1的功率放大器模块，其中所述功率放大器模块用于移动通信单元中。

5.根据权利要求4的功率放大器模块，其中所述功率放大器模块具有多个放大系统。

6.根据权利要求5的功率放大器模块，其中所述多个放大系统包括GSM系统和DCS系统。

7.根据权利要求1的功率放大器模块，其中第一布线基板由陶瓷构成。

8.根据权利要求1的功率放大器模块，其中半导体芯片中的放大元件由MOSFET构成。

9.根据权利要求1的功率放大器模块，其中半导体芯片由绝缘树脂覆盖。

10.根据权利要求1的功率放大器模块，其中电容器元件或电阻器元件安装在第一布线基板的主表面上。

11.一种功率放大器模块，具有功率放大电路，所述功率放大电路包括：

第一布线基板，具有主表面和与主表面相对的背面；

具有功率放大电路的放大元件的半导体芯片，安装在第一布线基板的主表面上；

多个第一电极端子，排列在第一布线基板的背面；

多个第二电极端子，排列在第一布线基板的背面；

其中网格焊盘阵列结构包括所述第一和第二电极端子；

所述多个第一电极端子用于为功率放大电路输入和输出信号；

所述多个第二电极端子用于地电位供应；

所述第一布线基板具有在平面图上彼此相对的两对边沿；

所述多个第一电极端子沿第一布线基板的背面的所述两对边沿排列；

所述多个第二电极端子在第一布线基板的背面上所述多个第一电极端子的内侧排列；

所述第二电极端子不在第一布线基板的背面的所述两对边沿处排列；以及

所述第一电极端子中的任一个和与其最邻近的第二电极端子之间的距离大于彼此最邻近的两个第二电极端子之间的距离。