[发明专利]电致色变反射装置

权利要求书

1.一种电致色变反射装置，包含：包括透明导电层的透明单元；其特征在于：所述电致色变反射装置还包含：

光反射导电离子储存基板，其是由具有多数掺杂质的金属材料所构成，且包括邻近所述透明单元的反射区，所述掺杂质是指分布于该光反射导电离子储存基板的内部及表面各处的掺杂质，或者是指只存在于该光反射导电离子储存基板的邻近表面处的注入离子，所述掺杂质离子是选自于：H⁺、Li⁺、Na⁺、K⁺，或它们的组合；以及

中间单元，夹在所述透明单元与所述光反射导电离子储存基板之间，且所述中间单元包括由所述透明单元朝所述光反射导电离子储存基板的方向依次叠置的电致色变层及电解质层。

2.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述金属材料选自于：不锈钢、Ni、Cr、Mn、V、Co、Fe、Ir、Rh、Ti、W、Mo、Nb、Ta、La、Ce、Cu、Ba、Bi、In，或它们的组合。

3.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述金属材料为不锈钢。

4.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述掺杂质位于所述反射区内。

5.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述反射区是通过将所述光反射导电离子储存基板经过镜面处理及离子注入处理而形成。

6.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述反射区的掺杂质的注入电量密度介于0.1mC/cm²至100mC/cm²之间。

7.如权利要求6所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述反射区的掺杂质的注入电量密度介于1mC/cm²至50mC/cm²之间。

8.如权利要求7所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述反射区的掺杂质的注入电量密度介于4mC/cm²至40mC/cm²之间。

9.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述透明导电层为透明导电薄膜。

10.如权利要求9所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述透明导电薄膜的材料是选自于：氧化铊、氧化锡、氧化锌、氧化铟锡、经掺杂处理的氧化锡、经掺杂处理的氧化锌，或它们的组合。

11.如权利要求10所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述经掺杂处理的氧化锡为掺杂锑的氧化锡或掺杂氟的氧化锡。

12.如权利要求10所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述经掺杂处理的氧化锌为掺杂锑的氧化锌或掺杂铝的氧化锌。

13.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述电解质层是氧化钽薄膜或氧化锂铌薄膜。

14.如权利要求1所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述电解质层含有可解离的基质、溶剂及高分子添加剂，所述可解离的基质选自于：锂盐、钠盐、钾盐、盐酸、硼酸、硫酸、磷酸，或它们的组合。

15.如权利要求14所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述锂盐选自于：过氯酸锂、四氟硼酸锂、碘化锂、六氟磷酸锂、六氟砷酸锂、苯乙烯磺酸锂、三氟甲基磺酸锂、甲基丙烯酸锂、氯化锂、溴化锂、三氟醋酸锂、三氟甲基磺酰胺锂、硫氰酸锂，或它们的组合。

16.如权利要求14所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述钠盐选自于：碘化钠、硫氰酸钠、过氯酸钠、四氟硼酸钠、四氟砷钠、四氟砷钠，或它们的组合。

17.如权利要求14所述的电致色变反射装置，其特征在于：所述钾盐选自于：硫氰酸钾、氯化钾，或它们的组合。