[发明专利]全息记录材料、其制造方法及全息记录介质

权利要求书

1.一种全息记录材料，其中，

包含：作为金属含有选自Si、和由Ta及Zr构成的组中的至少一种且在Ta及/或Zr上配位有配位物形成配位基的金属氧化物；和光聚合性化合物。

2.根据权利要求1所述的全息记录材料，其中，

配位物形成配位基选自β-二羰基化合物、聚羟基化配位基及α-或β-羟基酸构成的组。

3.根据权利要求1所述的全息记录材料，其中，

金属氧化物具有2个芳基与Si直接结合的有机金属单元。

4.根据权利要求1所述的全息记录材料，其中，还含有光聚合引发剂。

5.一种全息记录材料的制造方法，所述全息记录材料包含：作为金属包含Si、和选自Ti及Zr构成的组中的至少一种且在Ta及/或Zr上配位有配位物形成配位基的金属氧化物、和光聚合性化合物，其中，

所述制造方法包括：

混合Ta的烷氧化物及/或Zr的烷氧化物、和配位物形成配位基，将Ta的烷氧化物及/或Zr的烷氧化物用配位物形成配位基修饰的工序；

混合被配位物形成配位基修饰的Ta的烷氧化物及/或Zr的烷氧化物、和Si的烷氧化物的工序；

使所混合的烷氧化物水解，得到金属氧化物的前体的工序；

在所述水解前、水解时或水解后，混合光聚合性化合物的工序；

使混合有光聚合性化合物的金属氧化物前体进行缩聚反应的工序。

6.根据权利要求5所述的全息记录材料的制造方法，其中，

配位物形成配位基选自β-二羰基化合物、聚羟基化配位基及α-或β-羟基酸构成的组。

7.一种全息记录介质，其中，

具有权利要求1所述的全息记录材料。

8.根据权利要求7所述的全息记录介质，其中，通过波长350nm～450nm的激光记录/再生。