[发明专利]电致发光显示装置的缺陷检查方法及修正方法、制造方法无效

专利信息
申请号: 200710148365.9 申请日: 2007-08-31
公开(公告)号: CN101174376A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 小川隆司 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00;G09G3/30;G01R31/00;G01R31/02;G01R31/26;G01M11/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电致发光 显示装置 缺陷 检查 方法 修正 制造
【权利要求书】:

1.一种电致发光显示装置的缺陷检查方法,

所述显示装置在各像素中包括:电致发光元件;和元件驱动晶体管,其与该电致发光元件连接,用于控制该电致发光元件中流动的电流,

向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号,并且,使所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作,检测所述电致发光元件的特性,基于该特性检测灭点缺陷,

在执行所述灭点缺陷的检测之前,向各像素的所述电致发光元件施加反向偏压,使所述灭点缺陷明显化。

2.一种电致发光显示装置的缺陷修正方法,

对通过权利要求1所述的缺陷检查方法检测到所述灭点缺陷的像素,向该像素的所述电致发光元件的阳极与阴极的短路区域选择性照射激光,执行切断该短路区域的电流路径的激光修正。

3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置的缺陷检查方法,其特征在于,

向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号,并且,使所述元件驱动晶体管在该晶体管的饱和区域动作,检测所述电致发光元件的特性,基于该检测结果对暗点缺陷进行检测。

4.一种电致发光显示装置的缺陷修正方法,

对通过权利要求3所述的缺陷检查方法检测到所述暗点缺陷的像素,在向该像素的所述元件驱动型晶体管施加了规定偏压的状态下照射紫外线光,修正所述元件驱动型晶体管的电流供给特性的偏差。

5.一种电致发光显示装置的制造方法,

所述显示装置在各像素中包括:电致发光元件;和元件驱动晶体管,其与该电致发光元件连接,用于控制该电致发光元件中流动的电流;

作为一次检查,将各像素的所述电致发光元件控制为发光状态,并将所述电致发光元件的发光亮度相当于小于基准值的像素检测为灭点缺陷,

对通过所述一次检测而检测到所述灭点缺陷的所述电致发光显示装置,向各像素的所述电致发光元件施加反向偏压,使所述灭点缺陷明显化,

在执行所述灭点缺陷的明显化之后,作为二次检查,向所述显示装置的各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号,并且,使所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作,检测所述电致发光元件的特性,基于该特性检测灭点缺陷,

对在所述二次检查中检测到所述灭点缺陷的像素,向该像素的所述电致发光元件的阳极与阴极的短路区域选择性照射激光,执行切断该短路区域的电流路径的激光修正。

6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置的制造方法,其特征在于,

在所述一次检查中,通过与所述二次检查同样的检查方法检测所述灭点缺陷。

7.根据权利要求5所述的电致发光显示装置的制造方法,其特征在于,

在所述一次检查中,对控制为所述发光状态的所述电致发光元件的发光亮度进行检测,将检测出的所述发光亮度在基准值以下的像素检测为灭点缺陷。

8.根据权利要求5~7的任一项所述的电致发光显示装置的制造方法,其特征在于,

用于使所述灭点缺陷明显化的处理,在所述一次检查中检测到的灭点缺陷像素数为规定数以上时执行。

9.根据权利要求5~8的任一项所述的电致发光显示装置的制造方法,其特征在于,

用于使所述灭点缺陷明显化的处理和所述二次检查,在针对所述显示装置的老化处理之后执行。

10.根据权利要求1~9的任一项所述的电致发光显示装置的缺陷检查方法、缺陷修正方法或制造方法,其特征在于,

在检测所述灭点缺陷时,检测的所述电致发光元件的特性是该电致发光元件的发光亮度,将检测到的所述发光亮度在基准值以下的像素检测为灭点缺陷。

11.根据权利要求1~9的任一项所述的电致发光显示装置的缺陷检查方法、缺陷修正方法或制造方法,其特征在于,

在检测所述灭点缺陷时,所述检测的所述电致发光元件的特性是所述电致发光元件的阴极电流,当所述阴极电流比基准值大时,将该像素判定为灭点缺陷像素。

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