[发明专利]闪存器件及其抹除方法

权利要求书

1.一种闪存器件，其包括：

多个存储单元区块，每个存储单元区块包括连接于多个字线的多个存储单元；

电压产生器，被配置成对被选择来进行抹除操作的存储单元区块施加抹除电压，并且如果抹除操作的尝试不成功则改变抹除电压的电平；以及

控制器，被配置成控制该电压产生器以对被选择来进行抹除操作的存储单元区块施加第一抹除电压，该第一抹除电压对应于在成功完成先前抹除操作中使用的先前抹除电压，第一抹除电压是在该抹除操作的第一抹除尝试中使用的抹除电压。

2.如权利要求1所述的闪存器件，其中，进一步包含：

X译码器，其根据地址信号来产生区块选择信号，用以选择多个存储单元区块其中之一；以及

开关单元，其响应该区块选择信号来将该抹除电压传送至该被选择的存储单元区块。

3.如权利要求1所述的闪存器件，其中，该电压产生器包含：

高电压产生器，其施加字线偏压至各字线；以及

阱偏压产生器，其施加阱偏压至该被选择的存储单元区块的阱区。

4.如权利要求1所述的闪存器件，其中，该控制器储存成功完成抹除操作的抹除电压的信息，使得随后的抹除操作能以对应该已储存的抹除电压的抹除电压而开始。

5.一种闪存器件的抹除方法，该方法包含：

执行多个抹除尝试，用以完成第一抹除操作来抹除被选择的存储单元区块，其中经过未在该被选择的存储区块中抹除所有存储单元的每个抹除尝试以后，改变抹除电压；

储存关于第一抹除电压的信息，而该第一抹除电压用于在该第一抹除操作期间成功抹除该被选择的存储区块的抹除尝试之一；以及

使用与该已储存的第一抹除电压对应的第二抹除电压，在存储单元区块上执行第二抹除操作的第一抹除尝试，该第二抹除操作是在该第一抹除操作以后执行的。

6.如权利要求5所述的抹除方法，其中，该第一抹除操作及该第二抹除操作使用增量步阶脉冲抹除(ISPE)法，其在未成功进行该抹除操作的每个抹除尝试以后，增加抹除电压。

7.如权利要求6所述的抹除方法，其中，该第一抹除电压及该第二抹除电压是施加于该存储单元区块的阱区的电压。

8.如权利要求7所述的抹除方法，其中，根据该ISPE法，抹除电压在范围15V到20V之内变化。

9.如权利要求8所述的抹除方法，其中，在未成功抹除被选择用以进行该抹除操作的存储单元区块的每个抹除尝试以后，将抹除电压改变0.1V到1.5V的量。

10.如权利要求5所述的抹除方法，其中，该第一抹除操作及该第二抹除操作使用减量步阶脉冲抹除(DSPE)法，其在未成功进行该抹除操作的每个抹除尝试以后，减少抹除电压。

11.如权利要求10所述的抹除方法，其中，该第一抹除电压及该第二抹除电压是施加于与该被选择的存储单元区块相关的字线的电压。

12.如权利要求11所述的抹除方法，其中，在未成功抹除被选择用以进行该抹除操作的存储单元区块的每个抹除尝试以后，将抹除电压改变既定电压量，该既定电压量在5V到0V、0V到-5V或3V到-3V的范围内。

13.如权利要求11所述的抹除方法，其中，在未成功抹除被选择用以进行该抹除操作的存储单元区块的每个抹除尝试以后，将抹除电压改变0.1V到1.5V的量。

14.如权利要求5所述的抹除方法，其中，当改变该第一抹除电压及该第二抹除电压时，执行该第一抹除操作及该第二抹除操作，使得在字线及阱区之间的电压差增加。

15.如权利要求14所述的抹除方法，其中，通过减少施加于该字线的偏压及提升施加于该阱区的偏压，来改变该第一抹除电压及该第二抹除电压。

16.如权利要求14所述的抹除方法，其中，以0.1V到1.5V的电压量改变该字线及该阱区之间的电压差。