[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

外延叠层，依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及

蚀刻阻挡层，设置于该外延叠层上，该蚀刻阻挡层具有多个镂空部，

其中该蚀刻阻挡层的材料为光致抗蚀剂、聚甲基丙烯酸甲酯或阳极氧化铝，且该蚀刻阻挡层的折射率介于空气的折射率与该外延叠层的折射率之间。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一半导体层为P型外延层和N型外延层中的一种，而该第二半导体层则为N型外延层和P型外延层中的另一种；该第二半导体层具有粗化结构层，且该粗化结构层至少包括纳米凹凸结构、周期性孔洞结构或非周期性孔洞结构。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该发光二极管装置还包括基板，其与该第一半导体层相对而设，该基板为外延基板、导热基板、导电基板或绝缘基板。

4.如权利要求3所述的发光二极管装置，其中该基板的材料包括硅、砷化镓、磷化镓、碳化硅、氮化硼、铝、氮化铝、铜或其组合。

5.如权利要求3所述的发光二极管装置，还包括：导热粘贴层，其设置于该基板与该第一半导体层之间，该导热粘贴层的材料为导电材料、非导电材料或有机材料。

6.如权利要求3所述的发光二极管装置，还包括：导热绝缘层，其设置于该基板与该第一半导体层之间，该导热绝缘层的材料包括氮化铝或碳化硅。

7.如权利要求3所述的发光二极管装置，还包括：第一电流扩散层，其设置于该基板与该第一半导体层之间，其中该第一电流扩散层的材料为铟锡氧化物、锌氧化物、镍/金或锑锡氧化物。

8.如权利要求2所述的发光二极管装置，还包括：透明导电层，其覆盖部分的第二半导体层、该蚀刻阻挡层及其该等镂空部，其中该透明导电层的折射率介于该外延叠层的折射率与空气的折射率之间，且该透明导电层的材料包括铟锡氧化物、镍/金、锌氧化物或锌镓氧化物。

9.如权利要求8所述的发光二极管装置，还包括：保护层，其覆盖该 透明导电层、部分的第一半导体层、部分的发光层及部分的第二半导体层，该保护层为抗反射层，该保护层的折射率介于该外延叠层的折射率与空气的折射率之间，且该保护层的材料包括氮化铝、二氧化硅、氮化硅。

10.如权利要求8所述的发光二极管装置，还包括：保护层，其覆盖该透明导电层、部分的第一半导体层、部分的发光层及部分的第二半导体层，该保护层为抗反射层，该保护层的折射率介于该外延叠层的折射率与空气的折射率之间，且该保护层的材料包括多个微纳米粒子。

11.如权利要求9或10所述的发光二极管装置，其中部分的该第一半导体层暴露于该发光层、该第二半导体层、该粗化结构层、该蚀刻阻挡层、该透明导电层及该保护层，部分的该第二半导体层暴露于该粗化结构层、该蚀刻阻挡层、该透明导电层及该保护层；该发光二极管装置，还包括：

第一电极，与该第二半导体层电性连接；以及

第二电极，与该第一半导体层电性连接。

12.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：第二电流扩散层，其设置于该蚀刻阻挡层及该第二半导体层之间，该第二电流扩散层具有多个第三镂空部。

13.如权利要求12所述的发光二极管装置，其中部分的该第一半导体层暴露于该发光层、该第二半导体层、该第二电流扩散层、该蚀刻阻挡层，部分的该第二半导体层暴露于该第二电流扩散层、该蚀刻阻挡层；

其中该发光二极管装置，还包括：第一电极与第二电极，该第一电极与暴露于该发光层、该第二半导体层、该第二电流扩散层、该蚀刻阻挡层的部分的该第一半导体层电性连接，且该第一电极覆盖部分的该蚀刻阻挡层；该第二电极与暴露于该第二电流扩散层、该蚀刻阻挡层的部分的该第二半导体层电性连接。