[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710148559.9 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136389A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 沈千万 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
下层，其在顶表面上具有不平坦区域；
介质阻挡层，其位于所述下层上，并具有平坦顶表面；以及
层间介质层，其位于所述介质阻挡层上，并具有平坦顶表面。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下层包括金属线层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述下层的不平坦区域包括其中没有形成金属线的区域。
4.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括覆盖层，其位于所述层间介质层上，并具有平坦顶表面。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述介质阻挡层包括介电常数(k)小于3的材料。
6.一种半导体器件，包括：
下层，其在顶表面上具有不平坦区域；
介质阻挡层，其位于所述下层上，并具有与所述下层的不平坦区域对应的不平坦的顶表面；以及
层间介质层，其位于所述介质阻挡层上，并具有平坦顶表面。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述下层包括金属线层。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述下层的不平坦区域包括其中没有形成金属线的区域。
9.如权利要求6所述的半导体器件，进一步包括覆盖层，其位于所述层间介质层上，并具有平坦顶表面。
10.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述介质阻挡层包括介电常数小于3的材料。
11.一种半导体器件的制造方法，该方法包括：
形成下层，所述下层在顶表面上具有不平坦区域；
通过涂覆工艺在所述下层上形成具有平坦顶表面的介质阻挡层；以及
在所述介质阻挡层上形成具有平坦顶表面的层间介质层。
12.如权利要求11所述的方法，其中形成所述下层的步骤包括形成金属线层，其中所述下层的不平坦区域包括其中没有形成金属线的区域。
13.如权利要求11所述的方法，进一步包括在所述层间介质层上形成具有平坦顶表面的覆盖层。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述介质层包括介电常数小于3的材料。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述不平坦区域通过化学机械抛光(CMP)工艺形成。
16.如权利要求11所述的方法，其中所述层间介质层通过涂覆工艺或淀积工艺形成。
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