[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 200710148563.5 | 申请日: | 2007-08-29 |
公开(公告)号: | CN101136319A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 后藤友宏;真田雅和;茂森和士;玉田修;安田周一 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/30;G03F7/30;G03F1/00;G02F1/1333;G11B7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其将基板保持为水平姿势,使该基板围绕铅垂轴旋转,同时,一边从喷出喷嘴的喷出口向基板表面喷出洗涤液,一边使所述喷出喷嘴的喷出口从与基板中心对峙的位置到与基板周缘对峙的位置进行扫描,从而使基板干燥,其特征在于,
在表面用洗涤液覆盖状态的基板上,仅产生一个干燥芯作为形成干燥区域时的始点,使以该干燥芯为始点的干燥区域在基板的整个表面上扩展,从而使基板干燥。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,所述喷出喷嘴的喷出口从与基板的中心对峙的位置向基板的周缘开始移动,在圆周内侧的区域中,在基板上产生了第一个干燥芯作为形成干燥区域时的始点之后,在产生第二个干燥芯之前,从气体喷出喷嘴的喷出口向基板的中心部表面上喷射气体,其中,该圆周是以基板的中心位置为中心、以到与所述喷出喷嘴的喷出口对峙的基板面上的位置的距离为半径的圆周。
3.如权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,从所述气体喷出喷嘴的喷出口向基板的中心部表面瞬间地喷射大流量的气体。
4.如权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,从所述气体喷出喷嘴的喷出口向基板的中心部表面连续地喷射小流量的气体。
5.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,所述喷出喷嘴的喷出口从与基板的中心对峙的位置向基板的周缘开始移动之后,在基板的中心部分开始干燥之前,使所述喷出喷嘴的喷出口暂停,在圆周内侧的小区域中开始干燥之后,使所述喷出喷嘴的喷出口再次向基板的周缘移动,其中,该圆周是以基板的中心位置为中心、以到与所述喷出喷嘴的喷出口对峙的基板面上的位置的距离为半径的圆周。
6.如权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,所述喷出喷嘴的喷出口从与基板的中心对峙的位置向基板的周缘开始移动之后,从气体喷出喷嘴的喷出口向基板中心部表面喷出干燥用气体。
7.一种基板处理装置,其包括:
基板保持装置,其将基板保持为水平姿势;
基板旋转装置,其使由该基板保持装置保持的基板围绕铅垂轴旋转;
喷出喷嘴,其从喷出口向由所述基板保持装置所保持、并通过所述基板旋转装置而旋转的基板的表面上喷出洗涤液;
洗涤液供给装置,其向所述喷出喷嘴供给洗涤液;以及
喷嘴移动装置,其在从所述喷出喷嘴的喷出口向基板的表面喷出洗涤液的同时,使该喷出口从与基板的中心对峙的位置到与基板的周缘对峙的位置进行扫描,其特征在于,该基板处理装置还包括:
气体喷出喷嘴,其在所具有的喷出口停止在与基板的中心部对峙的位置的状态下,从该喷出口向基板的中心部表面上喷射气体;
气体供给装置,其向所述气体喷出喷嘴供给气体;以及
控制装置,其控制所述气体供给装置,以使得在使所述喷出喷嘴的喷出口从与基板的中心对峙的位置向基板的周缘开始移动之后,立即从所述气体喷出喷嘴的喷出口向基板的中心部表面喷射气体。
8.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制装置,对所述气体供给装置进行控制,以使得从所述气体喷出喷嘴的喷出口向基板的中心部表面瞬间地喷射大流量的气体。
9.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制装置,对所述气体供给装置进行控制,以使得从所述气体喷出喷嘴的喷出口向基板的中心部表面连续地喷射小流量的气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造