[发明专利]背面照光感测器

权利要求书

1.一种背面照光感测器，包含有：

半导体基底，具有正面以及背面；以及

多个像素，形成于该半导体基底的正面；

其中，至少一个像素具有光电栅结构与传送晶体管，该光电栅结构包括光电子收集区以及栅极，该传送晶体管相邻于该光电栅结构使得该光电子收集区所产生的光电子传送到该传送晶体管的浮动扩散区，该栅极形成于该光电子收集区上，该栅极具有光反射层。

2.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该光反射层设于该栅极上，即与该半导体基底相反的一边。

3.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，所述至少一个像素包含有N型光电感测器。

4.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该光反射层包含有金属硅化物。

5.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该光反射层包含有以下多种金属硅化物其中之一：硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钛、硅化钽、硅化铂、硅化铒、以及硅化钯。

6.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该栅极为多晶硅/金属硅化物栅。

7.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该栅极为金属栅。

8.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该光反射层包含有以下金属以及金属硅化物其中之一：铜、钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、硅化镍、以及硅化钴。

9.如权利要求7所述的背面照光感测器，其中，该金属栅包含有金属层以及金属硅化物层。

10.如权利要求1所述的背面照光感测器，还包含有：

复位晶体管、源极跟随晶体管、以及选择晶体管。

11.如权利要求1所述的背面照光感测器，其中，该半导体基底的厚度介于2微米到4微米之间。