[发明专利]基板的等离子处理装置和等离子处理方法

权利要求书

1.基板的等离子处理装置，其特征在于，具备：

内部可保持真空的真空室：

配置于所述真空室内，并构成为在主面上保持待处理基板的RF电极；

所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；

对所述RF电极加上规定频率的RF电压用的RF电压外加手段；以及

对所述RF电极加上规定的脉冲电压来使其与所述RF电压叠加用的脉冲电压外加手段。

2.如权利要求1所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，

所述脉冲电压外加手段加到所述RF电极上的所述脉冲电压为负脉冲电压。

3.如权利要求1或2所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，

所述RF电压外加手段加到所述RF电极上的所述RF电压的角频率(ωrf/2π)为大于等于50MHz，

所述脉冲电压外加手段至少具有控制所述脉冲电压的脉冲宽度t1(s)和脉冲电压值V_pulse(V)用的控制机构，由该控制机构进行控制，使得所述脉冲宽度t1成立t1≥2π/(ωp/5)，脉冲电压值V_pulse成立|V_p-p|＜|V_pulse|，其中ωp为等离子体离子角频率，ωp＝(e²N₀/ε₀Mi)^1/2，e：基本电荷，ε₀：真空介电常数，Mi：离子质量(kg)，N₀：等离子密度(个/m³)，V_p-p为所述RF电压的电压值。

4.如权利要求1或2所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，

所述RF电压外加手段加到所述RF电极上的所述RF电压的角频率(ωrf/2π)为大于等于50MHz，

所述脉冲电压外加手段至少具有控制所述脉冲电压的脉冲宽度t1(s)和重复时间t2(s)用的控制机构，由该控制机构进行控制，使得所述脉冲宽度t1和所述重复时间t2成立2π/ωrf＜t1＜t2＜2π/(ωp/5)，其中ωp为等离子体离子角频率，ωp＝(e²N₀/ε₀Mi)^1/2，e：基本电荷，ε₀：真空介电常数，Mi：离子质量(kg)，N₀：等离子密度(个/m³)。

5.如权利要求1或2所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，

所述基板的等离子处理装置对所述基板上所形成的硅氧化膜和硅氮化膜其中至少之一进行等离子蚀刻。

6.如权利要求1或2所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，

所述RF电压外加手段包含使所述RF电压通过的同时使所述脉冲电压截止用的高通滤波器。

7.如权利要求1或2所述的基板的等离子处理装置，其特征在于，包括监测所述真空室内至少是所述RF电极和所述对置电极两者间存在的离子其能量状态用的离子能量监测手段。

8.一种基板的等离子处理方法，其特征在于，包括：

在内部保持真空的真空室内的、RF电极和与所述RF电极相向的对置电极之间，在所述RF电极的主面上保持待处理的基板的工序；

对所述RF电极加上规定频率的RF电压的工序；以及

对所述RF电极加上规定的脉冲电压来使其与所述RF电压叠加的工序。

9.如权利要求8所述的基板的等离子处理方法，其特征在于，

加到所述RF电极上的所述脉冲电压为负脉冲电压。