[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

内插器；

一介电层，位于所述内插器的一侧；

第一多个接合垫，位于所述介电层中并延伸高出于所述介电层；

半导体芯片；以及

第二多个接合垫，位于所述半导体芯片的一侧，其中所述第一与第二多个接合垫是通过金属至金属连接来接合的，且所述第一与第二多个接合垫连接不需焊料凸块。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述内插器包括硅。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述内插器包括多个穿透硅通孔。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述第一多个接合垫具有第一间距，且所述穿透硅通孔具有大于所述第一间距的第二间距。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述第一间距小于130μm。

6.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述第一间距小于50μm。

7.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述第一间距小于5μm。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一与第二多个接合垫各自包铜、铝或上述金属的组合。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，还包括：界面接合层，介于所述第一多个接合垫与所述第二多个接合垫之间。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述界面接合层的厚度小于1μm。

11.如权利要求10所述的半导体封装结构，还包括：一界面连接材料，位于所述第一多个接合垫上，与另一界面连接材料，位于所述第二多个接合垫上。

12.如权利要求1所述的半导体封装结构，还包括：额外的芯片，位于所述半导体芯片上。

13.一种半导体封装结构，包括：

内插器，其包括：

含硅衬底；

多个穿透硅通孔，位于所述含硅衬底中；

第一多个接合垫，与所述多个穿透硅通孔连接，其中所述第一多个接合垫位于所述内插器的第一侧上，且所述第一多个接合垫具有第一间距；

一介电层，位于所述内插器相对于所述第一侧的一侧上；

第二多个接合垫，位于所述介电层中并延伸高出于所述介电层，其中所述第二多个接合垫具有第二间距，所述第二间距小于所述第一间距；以及

半导体芯片，包括第三多个接合垫，所述第三多个接合垫连接至所述第二多个接合垫，其中所述第二与第三多个接合垫是通过金属至金属连接来接合的，且所述第二与第三多个接合垫连接不需焊料凸块。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其中所述第二与第三多个接合垫是通过铜至铜连接来接合的。

15.如权利要求13所述的半导体封装结构，还包括：界面接合层，介于所述第二与第三多个接合垫之间，其中所述界面接合层的厚度小于1μm。