[发明专利]具有不同读取与程序化路径的存储单元有效
申请号: | 200710148919.5 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN101241756A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 不同 读取 程序化 路径 存储 单元 | ||
1.一种存储单元,该存储单元为一存储装置的一部分,其特征在于,该存储单元包括:
一位线、一读取字线、以及一程序化字线;
一读取装置其具有一第一读取终端与一第二读取终端,该第二读取终端连接至该读取字线;
一程序化装置其具有一第一程序化终端与一第二程序化终端,该第二程序化终端连接至该程序化字线;
一存储元件其具有一第一存储元件终端与一第二存储元件终端,且在该第一存储元件终端与该第二存储元件终端之间包括一存储区域,该存储元件的该存储区域包括一存储材料,该存储材料的电气性质可通过施加能量而改变;
该第一存储元件终端连接至该第一读取终端,且该第二存储元件终端连接至该位线;
一能量发射元件,包括一第一能量发射元件终端与一第二能量发射元件终端、以及位于该第一能量发射元件终端与该第二能量发射元件终端之间的一能量发射区域;
该能量发射区域与该存储区域之间具有一能量传导关系;以及
该第一能量发射元件终端连接至该第一程序化终端,且该第二能量发射元件终端连接至该位线。
2、根据权利要求1所述的存储单元,其特征在于,该存储材料包括一相变化材料。
3、根据权利要求1所述的存储单元,其特征在于,该存储材料的电气性质可通过施加热量而改变。
4、根据权利要求1所述的存储单元,其特征在于,该能量发射元件发射热能。
5、根据权利要求1所述的存储单元,其特征在于,该能量发射元件包括一电阻。
6、根据权利要求1所述的存储单元,其特征在于,该能量发射区域系与该存储区域以电气分隔。
7、一种相变化存储单元,该存储单元为一相变化存储装置的一部份,其特征在于,该存储单元包括:
一位线、一读取字线、以及一程序化字线;
该读取装置具有一第一读取终端与一第二读取终端,该第二读取终端连接至该读取字线;
一程序化装置其具有一第一程序化终端与一第二程序化终端,该第二程序化终端连接至该程序化字线;
一相变化元件其具有一第一相变化元件终端与一第二相变化元件终端,且在该第一相变化元件终端与该第二相变化元件终端之间包括一相变化区域,该相变化元件的该相变化区域包括一相变化材料,该相变化材料的电阻可通过施加热量而改变;
该第一相变化元件终端连接至该第一读取终端,且该第二相变化元件终端连接至该位线;
一热量发射元件其包括一第一热量发射元件终端与一第二热量发射元件终端、以及介于该第一热量发射元件终端与该第二热量发射元件终端之间的一热量发射区域;
该热量发射区域与该相变化区域之间具有一热量传导关系;以及
该第一热量发射元件终端连接至该第一程序化终端、且该第二热量发射元件终端连接至该位线。
8、一种用以程序化存储单元的方法,其特征在于,该存储单元为一存储装置的一部份,该存储单元包括:一存储元件其在一第一存储元件终端与一第二存储元件终端之间包括一存储区域,该存储元件的该存储区域包括一存储材料,该存储材料的电气性质可通过施加能量而改变;一能量发射元件包括一第一能量发射元件终端与一第二能量发射元件终端、以及位于该第一能量发射元件终端与第二能量发射元件终端之间的一能量发射区域;该能量区域与该存储区域之间具有一能量传导关系;该方法包括:
通过在该第一能量发射元件终端与第二能量发射元件终端之间加载一第一电流、而从该能量发射区域传导能量至该存储区域,以改变该存储区域的该电气性质状态;
通过在该第一存储元件终端与该第二存储元件终端之间加载一第二电流,而检测该存储材料元件的该电气性质状态。
9、根据权利要求8所述的用以程序化存储单元的方法,其特征在于,该电气性质状态改变步骤包括从该能量传导区域传导热能至该存储区域。
10、根据权利要求8所述的用以程序化存储单元的方法,其特征在于,该存储材料包括一相变化材料。
11、根据权利要求8所述的用以程序化存储单元的方法,其特征在于,该电气性质状态改变步骤包括改变该存储元件的电阻值。
12、根据权利要求8所述的用以程序化存储单元的方法,其特征在于,该改变步骤的进行未使该第一电流进入该存储元件,且该检测步骤的进行未使该第二电流进入该能量发射元件。
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