[发明专利]非挥发性存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器的制作方法，其特征在于包括：

于一基底上依序形成一第一介电层与一第一导体层；

于该第一导体层、该第一介电层与该基底中形成一隔离结构，以于该基底的一行方向上定义多个条状导体层与多个条状介电层；

移除部分该隔离结构，以暴露出每一该些条状导体层的至少部分侧壁；

将每一该些条状导体层与每一该些条状介电层图案化，以形成多个栅极结构；

于该基底上顺应性地形成一第二介电层；

于该第二介电层上形成一第二导体层；

将该第二导体层图案化，以形成多个第三导体层，其中每一该些第三导体层位于该行方向上的二个栅极结构之间的该第二介电层上，以及覆盖每一该些栅极结构至少一部份的侧壁；

于该行方向上该些第三导体层之间的该基底中形成一源极/漏极区；以及

于该些第三导体层之间形成一第三介电层。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，移除部分该隔离结构的方法包括回蚀刻法。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，该隔离结构的形成方法包括：

于该第一导体层、该第一介电层与该基底中形成一沟渠；

于该基底上形成一介电材料层，并填满该沟渠；以及

进行一平坦化制程，移除部分该介电材料层，直到暴露出该第一导体层。

4.如权利要求1或3所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，该些栅极结构的形成方法包括：

于该隔离结构上与每一该些条状导体层的一部分上形成一图案化光刻胶层；

以该图案化光刻胶层为罩幕，移除部分该些条状导体层与部分该些条状介电层；以及

移除该图案化光刻胶层。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，该第二介电层的形成方法包括化学气相沉积法。

6.如权利要求3所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，该第二介电层包括由氧化物层/氮化物层/氧化物层所形成的复合层结构。

7.如权利要求1或3所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，该些第三导体层的形成方法包括：

形成一图案化光刻胶层，该图案化光刻胶层覆盖该行方向上二个栅极结构之上与之间的该第二导体层，以及覆盖该些栅极结构周围的部分该第二导体层；

以该图案化光刻胶层为罩幕，移除部分该第二导体层；以及

移除该图案化光刻胶层。

8.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制作方法，其特征在于，在形成该第二导体层之后以及将该第二导体层图案化之前，更包括将该第二导体层平坦化。

9.一种非挥发性存储器，其特征在于包括：

一栅极结构，配置于一基底上，该栅极结构包括：

一对浮置栅极，配置于该基底上；

一穿隧介电层，配置于每一该浮置栅极与该基底之间；

一控制栅极，配置于该对浮置栅极之间的该基底上，且覆盖每一该浮置栅极的顶面与围绕每一该浮置栅极的侧壁；以及

一栅间介电层，配置于该控制栅极与每一该浮置栅极以及该穿隧介电层之间，以及配置于该控制栅极与该基底之间；以及

一源极/漏极区，配置于该栅极结构二侧的该基底中。

10.如权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，该控制栅极完全覆盖每一该浮置栅极。

11.如权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，该对浮置栅极的材料包括多晶硅。

12.如权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，该控制栅极的材料包括多晶硅。

13.如权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，该穿隧介电层的材料包括氧化物。

14.如权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，该栅间介电层包括由氧化物层/氮化物层/氧化物层所形成的复合层结构。