[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：

第一步骤，在其至少一部分表面内具有氮化物半导体层的衬底上形成作为至少一个凹陷部分形成的刻槽区域和作为非刻槽区域形成的隆脊部分，由此形成已处理衬底；和

第二步骤，在形成于所述已处理衬底上的所述刻槽区域和所述隆脊部分的表面上均形成由至少一种氮化物半导体薄膜构成的氮化物半导体层部分，

其中，在所述第二步骤中，使在接近所述刻槽区域的所述隆脊部分的两个边缘部分上布置的所述氮化物半导体层部分的从所述隆脊部分的所述表面至所述氮化物半导体层部分的表面测得的厚度大于在所述隆脊部分的两个边缘部分以外布置的所述氮化物半导体层部分的从所述隆脊部分的所述表面到所述氮化物半导体层部分的所述表面测得的厚度，从而形成从布置在除所述隆脊部分的两个边缘部分以外的区域表面的所述氮化物半导体层部分的平坦部分的表面升高的流入防止部分。

2.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中形成所述氮化物半导体部分时，没有彻底填充形成为所述刻槽区域的所述凹陷部分。

3.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中，布置于所述隆脊部分的所述表面上的所述氮化物半导体层的所述平坦部分的所述表面与从其升高的所述流入防止部分之间的高度差大于等于150nm。

4.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中，与所述已处理衬底表面直接接触的所述氮化物半导体薄膜为厚度小于等于0.5μm的CaN。

5.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中，与所述已处理衬底表面直接接触的所述氮化物半导体薄膜为AlGaN。

6.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中，与所述已处理衬底表面直接接触的氮化物半导体薄膜为GaN，并且，

在所述已处理衬底的表面布置该GaN时，所述已处理衬底的表面处于1025℃的温度下。

7.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中，

与所述已处理衬底表面直接接触的氮化物半导体薄膜为GaN，并且，

在布置所述GaN时，单位时间内提供包含作为V族元素的氮原子的原材料的摩尔流速与单位时间内提供包含作为III族元素的镓的原材料的摩尔流速之间的比率为2000或更高。

8.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第二步骤中，形成所述氮化物半导体层部分的所述氮化物半导体薄膜包括Al含量为0.02的AlGaN层。

9.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：

第四步骤，在布置于所述已处理衬底表面的，形成于所述第二步骤的所述氮化物半导体层部分上形成电极焊盘，由此在所述衬底上形成多个半导体器件，在所述电极焊盘上将进行引线键合以实现外部连接。

其中，在第四步骤中，在所述刻槽区域上没有形成所述电极焊盘。

10.如权利要求9所述的方法，

其中，在第四步骤中，在距离所述刻槽区域的边缘大于等于30μm处形成所述电极焊盘。

11.如权利要求1所述的方法，

其中，在夹于两个相邻的刻槽区域之间的所述隆脊部分中形成一个半导体器件。

12.如权利要求1所述的方法，

其中，在夹于两个相邻的刻槽区域之间的所述隆脊部分中形成多个半导体器件。

13.如权利要求1所述的方法，

其中，在布置于所述刻槽区域上的氮化物半导体层部分的顶面上或在恰好位于所述刻槽区域下方的一部分已处理衬底的底面上进行划片，由此实现芯片分离。

14.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第一步骤中形成作为所述凹陷部分的所述刻槽区域时，指定所述凹陷部分的深度大于等于1μm，但小于等于20μm。

15.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第一步骤中形成作为所述凹陷部分的所述刻槽区域时，指定所述凹陷部分具有大于等于1μm的开口宽度。