[发明专利]阵列基底及具有该阵列基底的显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种阵列基底及具有该阵列基底的显示装置。更具体地讲，本发明涉及一种能够增大视角的阵列基底和具有该阵列基底的显示装置。

背景技术

通常，液晶显示(LCD)装置是利用液晶的透光率来显示图像的平板显示装置，LCD装置包括利用光来显示图像的LCD面板和向LCD面板施加光的背光组件。

LCD面板包括阵列基底、面对阵列基底的滤色器基底以及置于阵列基底和滤色器基底之间的液晶层。阵列基底包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉；像素电极，形成在由栅极线和数据线限定的单位像素中；薄膜晶体管(TFT)，电连接到栅极线和数据线，用于向像素电极施加驱动电压。滤色器基底包括滤色器和共电极。

根据液晶层中的液晶分子的排列方向，可由扭曲向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式、共面转换(in-plane switching，IPS)模式或者其它模式来驱动LCD面板。例如，近来已经开发出了由作为VA模式的一种类型的垂直取向构型(pattemed vertical alignment，PVA)模式驱动的LCD面板。在PVA模式中，像素电极和共电极被图案化在LCD面板上，用于增大视角。

采用PVA模式的LCD面板与由其它模式驱动的LCD面板相比可具有更宽的视角。然而，由于将单个电压施加到在单位像素中形成的像素电极，所以具有PVA模式的LCD面板的基本的局限性在于视角可增大多少。

发明内容

本发明提供了一种增大视角的阵列基底。

本发明还提供了一种具有该阵列基底的显示装置。

在根据本发明的示例性阵列基底中，该阵列基底包括第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第一像素电极、第二像素电极和存储线。

第一TFT电连接到栅极线和数据线。第二TFT电连接到栅极线和数据线。第一像素电极电连接到第一TFT。第二像素电极电连接到第二TFT。以与第一像素电极和第二像素电极叠置的关系设置存储线的位置。所述叠置限定存储线的与第一像素电极相关的第一区域和存储线的与第二像素电极相关的第二区域。第一区域的大小不同于第二区域的大小。

在这种情况下，第一TFT的栅电极和源电极分别电连接到第二TFT的栅电极和源电极。

第一区域的大小可以大于第二区域的大小。例如，第一区域是第二区域的两倍大。

在根据本发明的示例性显示装置中，该显示装置包括阵列基底；相对基底，面向阵列基底；液晶层，设置在阵列基底和相对基底之间；驱动单元，电连接到阵列基底。

该阵列基底包括：第一TFT，电连接到彼此交叉的栅极线和数据线；第二TFT，电连接到栅极线和数据线；第一像素电极，电连接到第一TFT；第二像素电极，电连接到第二TFT；存储线，以与第一像素电极和第二像素电极叠置的关系设置存储线的位置。所述叠置限定存储线的与第一像素电极相关的第一区域和存储线的与第二像素电极相关的第二区域。第一区域的大小不同于第二区域的大小。

栅极线沿着第一方向形成，数据线沿着不同于第一方向的第二方向形成，从而形成多个像素单元区。第一像素电极和第二像素电极形成在每个像素单元区中。

可选择地，存储线可包括第一存储支线和第二存储支线。第一存储支线与第一像素电极和第二像素电极中的设置在奇数列中的第一像素电极和第二像素电极叠置。第二存储支线与第一像素电极和第二像素电极中的设置在偶数列中的第一像素电极和第二像素电极叠置。

该阵列基底还可包括第一存储主线和第二存储主线。第一存储主线电连接到第一存储支线的端部。第二存储主线电连接到第二存储支线的端部。

驱动单元可包括：第一存储电压生成部分，用于产生第一存储电压并将第一存储电压施加到第一存储主线；第二存储电压生成部分，用于产生不同于第一存储电压的第二存储电压并将第二存储电压施加到第二存储主线。

第一存储电压和第二存储电压包括以预定的幅度振荡的矩形波。第一存储电压和第二存储电压可包括幅度相同但是相位相反的矩形波。

根据本发明，存储线与单位像素中彼此隔开形成的第一像素电极和第二像素电极叠置有不同的面积，使得不同的电压被施加到第一像素电极和第二像素电极。因此，可增大显示装置的视角。

附图说明

参照附图，根据下面的对本发明多个示例性实施例的详细描述，本发明的以上和其它特征及优点将变得更加清楚，在附图中：

图1是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的透视图；

图2是示出图1中的显示装置的阵列基底的布置的平面图；

图3是图2的部分的局部放大平面图；