[发明专利]声波器件和滤波器有效
| 申请号： | 200710149287.4 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101145767A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 松田隆志;井上将吾;三浦道雄;松田聪;上田政则;水户部整一 | 申请（专利权）人： | 富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/64;H03H9/145 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声波 器件 滤波器 | ||
【权利要求书】：
1.一种声波器件，该声波器件包括：
压电基板；
设置在所述压电基板上的第一介电膜；
设置在所述第一介电膜上并激发声波的电极；以及
设置成覆盖所述电极并且比所述电极更厚的第二介电膜。
2.根据权利要求1所述的声波器件，该声波器件还包括设置在所述第二介电膜上的第三介电膜，其中所述第三介电膜的声速大于所述第二介电膜的声速。
3.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第二介电膜包括氧化硅。
4.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一介电膜的介电常数的温度系数小于所述压电基板的介电常数的温度系数。
5.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一介电膜包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一介电膜的相对介电常数比氧化硅的相对介电常数要大。
7.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一介电膜包括氧化铝。
8.根据权利要求2所述的声波器件，其中，所述第三介电膜包括氧化铝。
9.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述压电基板包括钽酸锂和铌酸锂之一。
10.一种包括多个声波器件的滤波器，所述多个声波器件中的至少一个包括：
压电基板；
设置在所述压电基板上的第一介电膜；
设置在所述第一介电膜上并激发声波的电极；以及
设置成覆盖所述电极并且比所述电极更厚的第二介电膜。
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