[发明专利]电平移位电路无效
申请号: | 200710149647.0 | 申请日: | 2007-09-10 |
公开(公告)号: | CN101222225A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 张育瑞 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛宝成;黄小临 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 移位 电路 | ||
1.一种电平移位电路,包含:
至少一电平移位单元,其将一输入信号转换为一输出信号,该电平移位单元包含:
第一晶体管,其接收一电源电压及一第一栅极控制信号以产生一第二栅极控制信号;
第二晶体管,其接收该电源电压及该第二栅极控制信号以产生该第一栅极控制信号;
第三晶体管,其接收该输入信号以将该第二栅极控制信号接地;
第四晶体管,其接收该输入信号的一反相信号以将该第一栅极控制信号接地;
第五晶体管,其接收一第一控制信号以将该第二栅极控制信号转移至该第三晶体管;及
第六晶体管,其接收该第一控制信号以将该第一栅极控制信号转移至该第四晶体管。
2.如权利要求1所述的电平移位电路,其进一步包含一开关,其接收第二控制信号以将该电源电压转移至该第一晶体管及该第二晶体管。
3.如权利要求2所述的电平移位电路,其中,该开关为晶体管,其经由其源极而耦接至该电源电压,且在其栅极处接收该第二控制信号。
4.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该输出信号是自该第四晶体管的漏极撷取,且当该输入信号处于一高逻辑状态时该输出信号的电平高于该输入信号的电平。
5.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该输出信号的该电平是藉由该第一控制信号的电平而决定。
6.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管是高压MOS晶体管,且该第三晶体管及该第四晶体管是低压MOS晶体管。
7.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该第三晶体管的基板及源极、该第四晶体管的基板及源极、该第五晶体管的基板及该第六晶体管的基板连接至一接地电压。
8.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该第一晶体管的基板及该第二晶体管的基板连接至该电源电压。
9.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该第二晶体管经由其源极而耦接至该第一晶体管的源极。
10.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该第三晶体管经由其漏极而耦接至该第五晶体管的源极,且该第四晶体管经由其漏极而耦接至该第六晶体管的源极。
11.如权利要求1所述的电平移位电路,其是用于一LCD面板的一源极驱动器中。
12.如权利要求1所述的电平移位电路,其中,该电源电压是用作模拟信号的高逻辑状态。
13.一种电平移位电路,其包含:
第一晶体管,其具有接收电源电压的源极;
第二晶体管,其具有接收该电源电压的源极、耦接至该第一晶体管的栅极的漏极及耦接至该第一晶体管的漏极的栅极;
第三晶体管,其具有接收第二电压的源极及接收输入信号的栅极;
第四晶体管,其具有接收该第二电压的源极及一接收该输入信号的反相信号的栅极;
第五晶体管,其具有接收一第一控制信号的栅极、耦接至该第一晶体管的漏极的第一源极/漏极及耦接至该第三晶体管的漏极的第二源极/漏极;及
第六晶体管,其具有接收该第一控制信号的栅极、耦接至该第二晶体管的漏极的第一源极/漏极及耦接至该第四晶体管的漏极的第二源极/漏极。
14.如权利要求13所述的电平移位电路,其中,该第一控制信号用于使该第三晶体管的漏极及该第四晶体管的漏极上的电压低于一预定电平。
15.如权利要求14所述的电平移位电路,其进一步包含一开关,其一端接收该电源电压且另一端耦接至该第一晶体管的源极及该第二晶体管的源极,且其受一第二控制信号控制,其中,该第二控制信号用于使该开关在转移该输入信号时被关闭。
16.如权利要求15所述的电平移位电路,其中,该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管为高压MOS晶体管,且该第三晶体管及该第四晶体管为低压MOS晶体管。
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