[发明专利]硅外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 200710149732.7 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101168851A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 土肥敬幸;中原信司;樱井雅哉;坂井正人 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅外延片，在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长有外延层，其特征在于：
在生长外延层的硅晶片中，将使所述{110}面倾斜的倾角方位设定在从与该{110}面平行的<100>方位向<110>方向的大于0°且小于等于45°的范围。
2.如权利要求1的硅外延片，其特征在于：
将使所述{110}面倾斜的倾斜角度设定在从所述{110}面开始的大于0°且小于等于10°的范围。
3.如权利要求1或2的硅外延片，其特征在于：
以激光表面检查设备测定所述硅外延片表面，所检测到的LPD的最小尺寸为100nm以下。
4.一种硅外延片的制造方法，在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长外延层，其特征在于：
从所提拉的单晶切割生长外延层的硅晶片时，以使所述{110}面倾斜的倾角方位在从与该{110}面平行的<100>方位向<110>方向的大于0°且小于等于45°的范围的方式，设定进行切割的切割角度。
5.如权利要求4的硅外延片的制造方法，其特征在于：
将使所述{110}面倾斜的倾斜角度设定在从所述{110}面开始的大于0°且小于等于10°的范围。
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