[发明专利]电子元件的晶圆级封装及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件的晶圆级封装的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体晶圆，该半导体晶圆上包括多个电子元件芯片，所述多个电子元件芯片由层间介电层所覆盖，且至少一接触垫设置于该层间介电层中；

提供承载基板；

粘结该半导体晶圆与该承载基板，并薄化该半导体晶圆的背面；

蚀刻该半导体晶圆的背面以形成沟槽；

在该半导体晶圆的背面顺应性地沉积绝缘层；

除去该沟槽底部的该绝缘层；

除去该沟槽底部的层间介电层，并露出该至少一接触垫的部分表面；

在该半导体晶圆的背面顺应性地沉积导电层，并将其图案化后，与该接触垫形成L形连线；以及

形成外部导线及焊接凸块。

2.如权利要求1所述的电子元件的晶圆级封装的制造方法，其中该电子元件芯片包括互补式金属氧化物半导体图像感测装置。

3.如权利要求1所述的电子元件的晶圆级封装的制造方法，其中该承载基板为透明基板，包括镜片级玻璃或石英。

4.如权利要求1所述的电子元件的晶圆级封装的制造方法，其中形成该绝缘层的步骤包括喷涂法、溅镀法、印刷法、涂布法或旋涂法。

5.如权利要求1所述的电子元件的晶圆级封装的制造方法，其中该绝缘层的材质包括树脂、氧化硅、金属氧化物或氮化硅。

6.一种电子元件的晶圆级封装，包括：

至少一电子元件芯片，与承载基板对向粘结，其中各电子元件芯片包括覆盖该电子元件芯片的层间介电层，以及设置于该层间介电层中的接触垫，该接触垫的垂直部分与水平部分是露出的；以及

导电层，设置于该电子元件的晶圆级封装外，顺应性地接触该接触垫露出的垂直部分与水平部分，构成L形电性连接；

其中该L形电性连接延伸至该电子元件的晶圆级封装背面的接触终端。

7.如权利要求6所述的电子元件的晶圆级封装，其中该电子元件芯片包括互补式金属氧化物半导体图像感测装置。

8.如权利要求6所述的电子元件的晶圆级封装，其中该承载基板为透明基板，包括镜片级玻璃或石英。

9.如权利要求6所述的电子元件的晶圆级封装，还包括：绝缘层，设置于该电子元件芯片的背面与侧边，其中该绝缘层介于该导电层与该电子元件芯片之间。

10.一种电子元件的晶圆级封装，包括：

至少一CMOS图像感测装置，与承载基板对向粘结，其中各CMOS图像感测装置包括至少一接触垫与层间介电层；

绝缘层，顺应性地设置于半导体晶圆的背面上，露出该接触垫的第一垂直部分与第一水平部分以及该层间介电层的第二垂直部分与第二水平部分；

导电层，设置于该电子元件的晶圆级封装外，顺应性地接触该接触垫露出的第一垂直部分与第一水平部分以及该层间介电层露出的第二垂直部分与第二水平部分，构成L形电性连接；以及

其中该L形电性连接延伸至该电子元件的晶圆级封装背面的接触终端。