[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710149954.9 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159288A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;拉维库马·拉马钱德兰;埃芬迪·利奥班登格;马亨德·库马;朱文娟;克里斯廷·诺里斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波;许向华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括半导体器件，所述半导体器件包括通过栅极电介质从栅电极分隔开的倒置V形沟道区域。
2.权利要求1的半导体结构，其中：
所述倒置V形沟道区域位于半导体层内；且
所述倒置V形沟道区域与所述栅电极对准。
3.权利要求2的半导体结构，其中所述半导体层位于半导体基板之上。
4.权利要求3的半导体结构，其中所述半导体层通过电介质层从所述半导体基板分隔开。
5.权利要求1的半导体结构，还包括通过所述倒置V形沟道区域分隔开的一对源极/漏极区域。
6.权利要求5的半导体结构，其中所述源极/漏极区域的对不相对于所述倒置V形沟道区域凸起。
7.权利要求5的半导体结构，其中所述半导体结构包括场效应晶体管。
8.一种半导体结构，包括：
半导体层，位于基板之上且具有第一平坦表面和与该第一平坦表面相反的第二界面内的倒置V形槽口；
位于第一平坦表面上的第一栅极电介质和位于该第一栅极电介质上并与所述倒置V形槽口对准的第一栅电极；以及
位于所述倒置V形槽口上方的第二栅极电介质和位于该第二栅极电介质上方并填充所述倒置V形槽口的第二倒置V形栅电极。
9.权利要求8的半导体结构，还包括在所述半导体层内并通过所述倒置V形槽口分隔开的一对源极/漏极区域，其中所述第一栅极和所述第二栅极对准。
10.权利要求8的半导体结构，其中所述基板包括半导体基板。
11.权利要求10的半导体结构，其中该第二栅电极接触所述半导体基板。
12.一种半导体结构的制造方法，包括：
在半导体层内形成V形槽口；
倒置所述半导体层以提供第一平坦表面和与第一平坦表面相反并包括倒置V形槽口的第二界面；以及
形成第一栅电极，其在该第一平坦表面之上并与所述倒置V形槽口对准。
13.权利要求12的方法，其中在所述半导体层内形成所述V形槽口利用了结晶特定蚀刻剂。
14.权利要求12的方法，还包括形成一对源极/漏极区域，其在所述半导体层内且通过所述倒置V形槽口分隔开。
15.权利要求14的方法，其中所述源极/漏极区域的对不相对于该第一栅电极凸起。
16.权利要求14的方法，还包括在倒置所述半导体层之前，形成第二栅极电介质在所述V形槽口上方和形成第二栅电极在该第二栅极电介质上方。
17.权利要求16的方法，其中所述源极/漏极区域的对相对于该第二栅电极凸起。
18.权利要求12的方法，其中所述倒置包括在具有所述V形槽口的界面上层叠处理基板。
19.权利要求18的方法，其中所述处理基板包括半导体基板。
20.权利要求19的方法，其中形成在所述倒置V形槽口内在第二栅极电介质上方的第二栅电极接触所述半导体基板。
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