[发明专利]高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法无效
| 申请号： | 200710150221.7 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101159295A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 耿新华;韩晓艳;张晓丹;赵颖;侯国付;魏长春;孙健;张德坤 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 廖晓荣 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 沉积 微晶硅 太阳电池 界面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法，控制辉光功率和硅烷浓度，采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层；
B、在等离子体辉光不灭的情况下，调节辉光功率和硅烷浓度，采用第二沉积速率在第一本征本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层。
2.根据权利要求1所述的高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，其特征在于：所述的第一沉积速率小于所述的第二沉积速率。
3.根据权利要求1所述的高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，其特征在于：所述第一本征微晶硅薄膜层厚度范围50nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，其特征在于：所述第一本征微晶硅薄膜层缺陷率α(0.8eV)＜2cm-1，晶化率Xc＞60％。
5.根据权利要求1所述的高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，其特征在于：所述第一本征微晶硅薄膜的辉光功率和硅烷浓度均小于第二本征微晶硅薄膜的辉光功率和硅烷浓度。
6.根据权利要求1所述的高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，其特征在于：所述第二本征微晶硅薄膜层厚度范围为1500nm～2000nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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