[发明专利]SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种SnO₂为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述微晶硅薄膜太阳电池包括SnO₂衬底及依次沉积在SnO₂衬底上的透明导电薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅和N型非晶硅，其特征在于：所述在SnO₂衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法和制备P型微晶硅、I型本征微晶硅、N型非晶硅的沉积方法相同，该沉积方法采用等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。

2.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述透明导电薄膜为非晶硅碳或者非晶硅氧。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述在SnO₂衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法中所使用的气源包括以氢稀释的硅烷气体，含硼的有机类气体或用惰性气体携带的含硼的液态化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述氢稀释硅烷的浓度SC＝([SiH₄]/([SiH₄]+[H₂]))％≤80％。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述含硼的有机类气体或用惰性气体携带的含硼的液态化合物为掺杂剂的浓度BS为含硼气体与硅烷之比，该BS≤3％。