[发明专利]Cu掺杂MgB2超导体及低温快速制备方法无效
| 申请号： | 200710150705.1 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101224897A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘永长;马宗青;史庆志;赵倩 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;H01B12/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu 掺杂 mgb sub 超导体 低温 快速 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cu掺杂MgB2超导体，其特征是组成和分子质量如下：(Mg1.1B2)1-xCux，x＝0.01～0.10。
2.权利要求1的Cu掺杂MgB2超导体低温快速制备方法，其特征是：
将Mg粉、Cu粉和B粉按比例在玛瑙研钵中充分混合，然后在2～10MPa的压力下制成薄片，最后放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉中通入氩气进行烧结，升温速率10～40℃/min，升至490～600℃后，在此温度保温烧结2～7个小时，然后以10～40K/min的冷却速度降至室温。
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