[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法有效
| 申请号： | 200710151040.6 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101459200A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 方小红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/045;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 凤 |
| 地址： | 300381天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 及其 吸收 制备 方法 | ||
1.柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：在柔性金属或聚酰亚胺膜的衬底上，磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo，再在底电极Mo上用CuIn和CuGa合金靶材以磁控溅射法制备厚度为0.6-1.2μm的金属预制层；将沉积有底电极Mo和铜铟镓金属预制层的基片置于石英管中，同时在管中置入0.5-5g的固态硒源，真空密封，放入可分段程序控温的管式炉中，基片所在区域温度控制在400-590℃，固态硒源所在区域温度控制在180-300℃，进行10-30min的硒化处理，使金属预制层完全转变为CuIn1-XGaXSe2化合物半导体薄膜。
2.柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层制备方法，其特征在于：在柔性金属或聚酰亚胺膜的衬底上，磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo，再在底电极Mo上用CuIn和CuGa合金靶材以磁控溅射法制备厚度为0.6-1.2μm的金属预制层；将沉积有底电极Mo和铜铟镓金属预制层的基片置于石英管中，同时在管中置入0.5-5g的固态硒源，真空密封，放入可分段程序控温的管式炉中，基片所在区域温度控制在400-590℃，固态硒源所在区域温度控制在180-300℃，进行10-30min的硒化处理，使金属预制层完全转变为CuIn1-XGaXSe2化合物半导体薄膜，再用硫源代替硒源，进行硫化过程，最终形成CuIn1-XGaXSe2-XS2化合物半导体薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述衬底厚度为10-100μm；柔性金属材料为钛箔、不锈钢箔、钼箔或铝箔。
4.根据权利要求1或2所述的柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述衬底上的底电极Mo为双层膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
