[发明专利]一种大面积制备金属或金属氧化物纳米环的简单方法无效
申请号: | 200710151047.8 | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN101200283A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 袁志好;周玮;王文慧;段月琴;王达健 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300191天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大面积 制备 金属 氧化物 纳米 简单 方法 | ||
【技术领域】:本发明属于化学、化工领域,特别是关于一种环状纳米结构的制备方法。
【背景技术】:近年来环状纳米结构因具有独特的物理、化学性能,以及在光、电、催化和存储等领域具有重要的潜在应用价值而倍受人们的关注。迄今,人们已经制备出多种纳米环,如ZnO、TiO2和SnO2纳米环、Au纳米环。然而在金属或金属氧化物纳米环方面,其制备条件相当苛刻且成本昂贵,所以迄今仍缺少一种有效的制备手段。因此很有必要发展一种简单、低廉并且操作方便的方法制备金属或金属氧化物纳米环。
【发明内容】:本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种大面积制备金属或金属氧化物纳米环的简单方法。
该方法以硝酸盐/二氧化硅复合溶胶为前驱体,通过浸渍提拉成膜技术在硅片、或玻璃等上形成硝酸盐/二氧化硅薄膜,再经过两步热处理获得到金属或金属氧化物纳米环。
一种大面积制备金属或金属氧化物纳米环的简单方法,该方法包括以下步骤:
第一、SiO2溶胶的制备:将正硅酸乙酯、无水乙醇和去离子水按照摩尔比为1∶3-8∶3-8的比例混合,并通过硝酸调节混合溶液的pH值在1~3之间,混合溶液经磁力搅拌数1~3小时后,获得二氧化硅溶胶;
第二、在上步SiO2溶胶中加入硝酸盐,并控制硝酸盐与正硅酸乙酯的摩尔比在1∶0.01~0.1之间,继续搅拌数1~3小时后,获得硝酸盐/二氧化硅溶胶;
第三、以硝酸盐/二氧化硅溶胶为前驱体,采用浸渍提拉的方法在基底上形成硝酸盐/二氧化硅薄膜;
第四、通过两步热处理硝酸盐/二氧化硅薄膜来制备金属或金属氧化物纳米环:首先在150~300℃之间对硝酸盐/二氧化硅薄膜进行热处理1~3小时,然后再在500~800℃之间热处理1~2小时获得金属或金属氧化物纳米环。
所获得的金属或金属氧化物纳米环的面密度在107~109cm-2之间,纳米环的内径在50-300nm之间,环的平均厚度约30nm。
其中,第四步所述两步热处理硝酸盐/二氧化硅薄膜,第一步热处理温度略高于硝酸盐的熔点,第二步热处理温度高于硝酸盐的分解温度。
所述的硝酸盐是硝酸银、硝酸铁、硝酸锌、硝酸铜、硝酸镍、硝酸钴、或硝酸镁。
本发明的工作原理为:首先通过溶胶-凝胶和浸渍提拉成膜方法制备组成均匀分布的硝酸盐/二氧化硅薄膜,再经过两步热处理工艺大面积制备金属或金属氧化物纳米环,第一步热处理温度略高于硝酸盐的熔点,以促使硝酸盐熔化并从SiO2基体中相分离而形成微小的硝酸盐液滴,微小的液滴再经过高于其分解温度的第二步热处理,可进一步转化成金属或金属氧化物气泡,最后金属或金属氧化物气泡破裂,并在冷却的过程中自组织形成金属或金属氧化物纳米环。
本发明的优点和积极效果:
(1)该方法可以大面积制造金属或金属氧化物纳米环,且纳米环的内、外直径易于控制和调整;(2)该制备金属或金属氧化物纳米环的方法工艺简单、成本低廉,无需特别的仪器设备,易于大规模生产。
【附图说明】:
图1是金属银纳米环的扫描电镜照片(标线标度为200nm)。
【具体实施方式】:
实施例1:
结合实施例对本发明作进一步说明:
以正硅酸乙酯∶无水乙醇∶去离子水=1∶5∶3.46的摩尔比例配置二氧化硅溶液。溶液在磁力搅拌器上搅拌半小时,加入浓硝酸溶液,使溶液的pH值为2。继续搅拌2小时,呈现半透明状时,加入硝酸银粉末,其中硝酸银与正硅酸乙酯的摩尔比为1∶0.1。继续搅拌3小时,最终得到透明溶液。然后用硅片作基底采用浸渍提拉成膜技术成膜,待硝酸银/二氧化硅复合薄膜自然风干后,先在250℃热处理1小时,然后再在600℃退火2小时,获得金属银纳米环。图1是所制备的金属银纳米环的扫描电镜照片,所制备的金属银纳米环的面密度约为109cm-2,纳米环平均厚度约30nm,平均外径约为190nm。
实施例2:
以正硅酸乙酯∶无水乙醇∶去离子水=1∶5∶3.46的摩尔比例配置二氧化硅溶液。溶液在磁力搅拌器上搅拌半小时,加入浓硝酸溶液,使溶液的pH值为2。继续搅拌2小时,呈现半透明状时,加入硝酸铁粉末,其中硝酸铁与正硅酸乙酯的摩尔比为1∶0.05。继续搅拌3小时,最终得到透明溶液。然后用硅片作基底采用浸渍提拉成膜技术成膜,待硝酸铁/二氧化硅复合薄膜自然风干后,先在210℃热处理1小时,然后再在650℃退火2小时,获得四氧化三铁纳米环。所制备的四氧化三铁纳米环的面密度约为109cm-2,纳米环平均厚度约30nm,平均外径约为190nm。
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