[发明专利]输出半导体存储设备的温度数据的电路及方法无效
申请号: | 200710151414.4 | 申请日: | 2007-09-28 |
公开(公告)号: | CN101162604A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 郑椿锡;李康说 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨生平;杨红梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 半导体 存储 设备 温度 数据 电路 方法 | ||
1.一种用于输出半导体存储设备的温度数据的电路,该电路包括:
温度检测电路,其配置用于产生对应于温度变化的温度电压,并输出所述温度电压;
A/D转换器,其配置用于将所述温度电压转换成第一温度码,并输出所述第一温度码;以及
温度数据校正单元,其配置用于输出通过使用校正码来校正所述第一温度码的误差所获得的第二温度码。
2.如权利要求1所述的电路,
其中,所述温度检测电路包括:
温度感测器,其输出所述温度电压以及第一基准电压,所述温度电压与所述半导体存储设备的内部温度成反比,所述第一基准电压保持恒定而不依赖于温度变化;
包括多个电阻器的电压调整单元,其分配所述第一基准电压,并输出用于确定所述温度电压的上限和下限的第二基准电压;以及
熔丝组,其包括多个熔丝,并根据所述熔丝的切断状态而输出用于调整所述多个电阻器的电阻值的熔丝码。
3.如权利要求1所述的电路,
其中,所述A/D转换器包括:
比较器,其比较所述温度电压及一内部模拟电压,以便输出比较的结果;
计数器,其根据所述比较的结果来增大或减小所述第一温度码,并输出所述第一温度码;
多路复用器,其根据测试模式信号来输出测试码或所述第一温度码;
解码器,其输出通过解码所述多路复用器的输出而获得的解码信号;以及
D/A转换器,其将所述解码信号转换成所述内部模拟电压,并将其输出。
4.如权利要求3所述的电路,进一步包括:
滤波器,其阻塞所述比较的结果的高频成分,并输出所述比较的结果;以及
振荡器,其供应用于执行所述A/D转换器的操作的时钟信号。
5.一种用于输出半导体存储设备的温度数据的电路,所述电路包括:
温度检测电路,其配置用于产生对应于温度变化的温度电压,并输出所述温度电压,且根据从所述电路外部输入的调整码来校正输出电压电平;
A/D转换器,其配置用于将所述温度电压转换成第一温度码,并输出所述第一温度码,且根据预定的控制信号来将所述调整码输出到所述温度检测电路;以及
温度数据校正单元,其配置用于输出通过使用校正码来校正所述第一温度码的误差所获得的第二温度码。
6.如权利要求5所述的电路,
其中,所述温度检测电路包括:
温度感测器,其输出所述温度电压以及第一基准电压,所述温度电压与所述半导体存储设备的内部温度成反比,所述第一基准电压保持恒定而不依赖于温度变化;以及
包括多个电阻器的电压调整单元,其通过使用来分配所述第一基准电压,并输出用于确定所述温度电压的上限和下限的第二基准电压,且根据所述调整码来调整所述第二基准电压的电压电平。
7.如权利要求2或6所述的电路,
其中,所述温度感测器包括:
温度比例电流产生单元,其通过多个电流路径产生与所述温度变化成比例的电流;
温度电压输出单元,其基于所述温度比例电流产生单元的温度系数特性电压而输出对应于所述温度变化的所述温度电压;
温度反比电流产生单元,其通过多个电流路径产生与所述温度变化成反比的电流;以及
电流/电压转换器,其通过使用由所述温度比例电流产生单元所产生的电流及由所述温度反比电流产生单元所产生的电流来产生保持恒定而不依赖于所述温度变化的所述第一基准电压。
8.如权利要求7所述的电路,
其中,所述温度比例电流产生单元包括:
第一晶体管群,其包括多个晶体管,每个晶体管具有不同的大小且耦合到电源端子;
第二晶体管群,其包括晶体管,所述晶体管耦合在所述第一晶体管群的多个晶体管的一部份与接地端子之间,并具有负温度系数特性;以及
电流控制器,其基于施加到所述第二晶体管群的晶体管的电压来控制所述第一晶体管群。
9.如权利要求8所述的电路,
其中,所述第二晶体管群的晶体管作为二极管操作,且所述二极管上的电压具有负温度系数特性。
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