[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710151489.2 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101170072A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 町田洋弘;山野孝治 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
第一步骤，其在电极片上形成具有凸出部分的凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片对应的区域中；
第二步骤，其在所述基板上形成绝缘层和导电层；
第三步骤，其挤压所述导电层，从而压制所述导电层上露出的所述凸出部分的末端；
第四步骤，其通过电解电镀形成与所述凸点连接的导电图案，在电解电镀过程中，把所述导电层当作供电层；以及
第五步骤，其将所述基板分离成单独的小块。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
所述第二步骤包括以下步骤：
在所述基板上形成所述绝缘层；
将堆叠在支撑层上的所述导电层附着到所述绝缘层上；以及
去除所述支撑层。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
所述第二步骤包括以下步骤：
将堆叠在支撑层上的所述绝缘层和所述导电层附着到所述基板上；以及
去除所述支撑层。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
在所述第三步骤中，所述绝缘层与所述导电层一起被挤压并加热，以使所述绝缘层固化。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
在所述第一步骤中，由接合引线形成所述凸点。
6.一种半导体器件，包括：
半导体芯片，其上形成有电极片；
凸点，其形成于所述各个电极片上并具有凸出部分；
绝缘层，其形成于所述半导体芯片上；以及
导电图案，其与所述凸点连接，
其中，所述凸出部分的末端插入所述导电图案中，并且
所述插入的末端被平坦化。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，
所述末端在第一导电图案和第二导电图案之间被平坦化，所述第一导电图案和所述第二导电图案构成所述导电图案并且一个堆叠在另一个顶部上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新光电气工业株式会社，未经新光电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710151489.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：实现低成本全范围映射算法的系统和方法
- 下一篇：电极合剂浆料的涂布方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
