[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710151593.1 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211833A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李政皓 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法包括：
将第一传导型掺杂剂注入半导体衬底中以在半导体衬底表面中形成光电二极管区；
将第二传导型掺杂剂注入所述光电二极管区中以形成第二传导型扩散区；以及
将氟离子注入所述第二传导型扩散区以形成氟扩散区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据产品的特性控制离子注入能量注入总量的情况下进行所述氟离子的注入。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
所述形成氟扩散区之后，对所述半导体衬底执行热处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二传导型掺杂剂包括二氟化硼离子。
5.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：
在半导体衬底中形成的外延层；
在所述外延层中形成的光电二极管区；
在所述光电二极管区中形成的第一扩散区；以及
在所述第一扩散区中形成的第二扩散区。
6.根据权利要求5所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述光电二极管区中具有注入所述外延层的第一传导型掺杂剂。
7.根据权利要求5所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述第一扩散区中具有注入所述光电二极管区的第二传导型掺杂剂。
8.根据权利要求7所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述第二传导型掺杂剂包括二氟化硼离子。
9.根据权利要求5所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述第二扩散区包括氟离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
